Transistores de radiofrecuencia

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de trabajo Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Ganancia Calificación Empaquetado
MACOM 2N6439
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,225-400MHz,28V,60W 13En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM MRF1004MB
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,960-1215MHz,35V,9pk 10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM MRF1150MB
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,960-1215MHz,50V,150pk 56En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Si
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,679En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,202En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET 1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SON-10 Si 900 MHz to 2.7 GHz 5 W + 225 C 19.5 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN 20Vcbo 12Vceo 3Vebo 100mA 150mW 2,774En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 393En existencias
1,090Se espera el 23/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 118En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Bulk
MACOM MRF175GU
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS 4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Comchip Technology Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) VCEO=40V IC=600mA 82En existencias
18,000Se espera el 14/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-23-3 Bipolar Power Si 300 MHz + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL CE3520K3
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 85En existencias
200Se espera el 23/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors pHEMT GaAs Bulk


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
250Se espera el 14/05/2027
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
onsemi Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G 9En existencias
6,000Se espera el 24/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 700
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SC-70-3 Bipolar Si 1.5 GHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
150Se espera el 4/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 200 MHz 80 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
489En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
1,172En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FE/SOT539/TRAY
607En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT539AN-5 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2 kW + 225 C 28.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.7 GHz 44.8 dBm + 200 C 31.3 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL
1,000Se espera el 21/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2G-1-3 LDMOS 1.5 GHz 100 W + 225 C 16 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
60Se espera el 20/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT467C-3 GaN Si 0 Hz to 3.5 GHz 100 W + 300 C 15 dB Tray
Renesas / Intersil Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
2,076Se espera el 5/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

RF Bipolar Transistors SOIC-Narrow-16 Bipolar Si 5.5 GHz, 8 GHz - 55 C + 125 C Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
78,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-343F-4 Bipolar Wideband SiGe 45 GHz + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
2,602Se espera el 29/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
479Se espera el 1/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube