|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLL3H0914LS-700/SOT502/TRAY
- CLL3H0914LS-700U
- Ampleon
-
60:
$742.39
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-CLL3H0914LS-700U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLL3H0914LS-700/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
|
N-Channel
|
GaN SiC
|
|
50 V
|
35 mOhms
|
900 MHz to 1.4 GHz
|
17 dB
|
700 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
- CLP24H4S30PZ
- Ampleon
-
1,000:
$53.01
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-CLP24H4S30PZ
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
N-Channel
|
GaN SiC
|
774 uA
|
150 V
|
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
18.4 dB
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
DFN-6
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTAB182002FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$108.37
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTAB182002FC1R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
150 mOhms
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
15.5 dB
|
190 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTAB182002FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$98.15
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTAB182002FC1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
150 mOhms
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
15.5 dB
|
190 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTAC260302FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$77.28
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTAC260302FC1R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
800 mOhms
|
2.62 GHz to 2.69 GHz
|
15.5 dB
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37248H-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTAC260302FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$69.31
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTAC260302FC1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
800 mOhms
|
2.62 GHz to 2.69 GHz
|
15.5 dB
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37248H-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS
- PTFA211801E-V5-R0
- MACOM
-
50:
$175.77
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFA211801EV5R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS
- PTFA211801E-V5-R250
- MACOM
-
250:
$159.37
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFA211801EV5R25
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFB201402FC-V2-R0
- MACOM
-
50:
$77.81
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFB201402FC2R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
300 mOhms
|
2.01 GHz to 2.025 GHz
|
16 dB
|
140 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFB201402FC-V2-R250
- MACOM
-
250:
$69.82
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFB201402FC2R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
300 mOhms
|
2.01 GHz to 2.025 GHz
|
16 dB
|
140 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFC260202FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$64.60
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC260202FC1R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
50 mOhms
|
2.495 GHz to 2.69 GHz
|
20 dB
|
25 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFC260202FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$57.78
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC260202FC1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
50 mOhms
|
2.495 GHz to 2.69 GHz
|
20 dB
|
25 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
- PTGA090304MD-V1-R5
- MACOM
-
500:
$38.21
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTGA090304MDV1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
- PTGA090304MD-V2-R5
- MACOM
-
500:
$38.20
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTGA090304MDV2R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
- PTMC210404MD-V2-R5
- MACOM
-
500:
$43.23
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTMC210404MDV2R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
- PTNC210604MD-V1-R5
- MACOM
-
500:
$48.87
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTNC210604MDV1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
- PTRA084808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$104.07
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA084808NF1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
105 V
|
80 mOhms
|
734 MHz to 821 MHz
|
18.2 dB
|
550 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
HBSOF-6-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA084858NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$104.07
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA084858NFV1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
- PTRA087008NB-V1-R5
- MACOM
-
500:
$123.27
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA087008NB1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
- PTRA087008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
$120.43
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA087008NBV1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
- PTRA094808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$104.07
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA094808NF1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
105 V
|
80 mOhms
|
859 MHz to 960 Mhz
|
17.5 dB
|
480 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
HBSOF-6-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
- PTRA095908NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
$118.69
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA095908NBV1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
- PTRA097008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
$120.43
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA097008NB1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
600 mA
|
105 V
|
70 mOhms
|
920 MHz to 960 MHz
|
19 dB
|
630 W
|
|
|
Screw Mount
|
HB2SOF-6-1
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA097058NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
$126.47
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA097058NBV1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA082407NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$67.28
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA082407NF1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
105 V
|
160 mOhms
|
746 MHz to 821 MHz
|
22.5 dB
|
240 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
HBSOF-4-1
|
Reel
|
|
