|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57030-E
- STMicroelectronics
-
1:
$48.89
-
392En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
392En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
- SD2941-10W
- STMicroelectronics
-
1:
$85.94
-
33En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
|
|
33En existencias
|
|
|
$85.94
|
|
|
$69.17
|
|
|
$64.20
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
20 A
|
130 V
|
|
175 MHz
|
15 dB
|
175 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
- SD2942W
- STMicroelectronics
-
1:
$192.61
-
80En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2942W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2942W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
|
|
80En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
130 V
|
|
175 MHz
|
15 dB
|
350 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
- SD2943W
- STMicroelectronics
-
1:
$157.77
-
21En existencias
-
50Se espera el 10/03/2026
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2943W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2943W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
|
|
21En existencias
50Se espera el 10/03/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
- SD4933MR
- STMicroelectronics
-
1:
$157.73
-
93En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
|
|
93En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
200 V
|
|
100 MHz
|
24 dB
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
M177MR-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
- SD57045
- STMicroelectronics
-
1:
$100.99
-
51En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD57045
N.º de artículo de Mouser
511-SD57045
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
|
|
51En existencias
|
|
|
$100.99
|
|
|
$80.50
|
|
|
$76.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
13 dB
|
45 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
M243
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
- STAC2942BW
- STMicroelectronics
-
1:
$144.91
-
90En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STAC2942BW
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
|
|
90En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
130 V
|
|
250 MHz
|
21 dB
|
350 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
STAC244B
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
- MRF137
- MACOM
-
1:
$65.42
-
279En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF137
N.º de artículo de Mouser
937-MRF137
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
|
|
279En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
65 V
|
|
400 MHz
|
13 dB
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
211-07-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
- MRF166C
- MACOM
-
1:
$74.79
-
72En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF166C
N.º de artículo de Mouser
937-MRF166C
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
|
|
72En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
65 V
|
|
500 MHz
|
13.5 dB
|
20 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
319-07
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
- MRF174
- MACOM
-
1:
$100.55
-
72En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF174
N.º de artículo de Mouser
937-MRF174
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
|
|
72En existencias
|
|
|
$100.55
|
|
|
$84.03
|
|
|
$75.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
13 A
|
65 V
|
|
200 MHz
|
9 dB
|
125 W
|
- 65 C
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
211-07
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY
- ART150FEU
- Ampleon
-
1:
$108.76
-
85En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART150FEU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY
|
|
85En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
482 mOhms
|
1 MHz to 650 MHz
|
31 dB
|
150 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT467C-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART35FE/SOT467C/TRAY
- ART35FEU
- Ampleon
-
1:
$75.25
-
35En existencias
-
240En pedido
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART35FEU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART35FE/SOT467C/TRAY
|
|
35En existencias
240En pedido
|
|
|
$75.25
|
|
|
$60.89
|
|
|
$60.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
1.6 Ohms
|
1 MHz to 650 MHz
|
31 dB
|
35 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT467C-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G2327N71DYZ
- Ampleon
-
1:
$65.34
-
130En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-B11G2327N71DYZ
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
|
|
130En existencias
|
|
|
$65.34
|
|
|
$52.98
|
|
|
$51.25
|
|
|
$51.23
|
|
|
Ver
|
|
|
$46.52
|
|
|
$49.80
|
|
|
$46.52
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
2.3 GHz to 2.7 GHz
|
33.5 dB
|
49.5 dBm
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
QFN-36
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
- BLA9H0912LS-250GU
- Ampleon
-
1:
$248.66
-
50En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912LS-250GU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
|
|
50En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
110 mOhms
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
22 dB
|
250 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT502E-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP
- BLC2425M9LS250Z
- Ampleon
-
1:
$103.98
-
70En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M9LS250Z
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP
|
|
70En existencias
|
|
|
$103.98
|
|
|
$90.09
|
|
|
$90.07
|
|
|
$86.99
|
|
|
Ver
|
|
|
$86.79
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
52.5 mOhms
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
18.5 dB
|
250 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT1270-1-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9L750P/SOT1483/TRAY
- BLF13H9L750PU
- Ampleon
-
1:
$178.98
-
30En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF13H9L750PU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9L750P/SOT1483/TRAY
|
|
30En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
90 mOhms
|
1.3 GHz
|
19 dB
|
750 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT539A-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647PS/SOT1121/TRAY
- BLF647PS,112
- Ampleon
-
1:
$158.70
-
46En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF647PS112
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647PS/SOT1121/TRAY
|
|
46En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
100 mA
|
65 V
|
140 mOhms
|
1.5 GHz
|
17.5 dB
|
200 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT1121B-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY
- BLF974PU
- Ampleon
-
1:
$165.50
-
79En existencias
-
120En pedido
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF974PU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY
|
|
79En existencias
120En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
110 mOhms
|
700 MHz
|
25.7 dB
|
500 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT539A-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984P/SOT1121/TRAY
- BLF984PU
- Ampleon
-
1:
$132.48
-
28En existencias
-
60Se espera el 22/05/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF984PU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984P/SOT1121/TRAY
|
|
28En existencias
60Se espera el 22/05/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
180 mOhms
|
30 MHz to 860 MHz
|
22.5 dB
|
450 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT1121A-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989E/SOT539/TRAY
- BLF989EU
- Ampleon
-
1:
$215.09
-
36En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF989EU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989E/SOT539/TRAY
|
|
36En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
60 mOhms, 90 mOhms
|
400 MHz to 860 MHz
|
20 dB
|
1 kW
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT539AN-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC
- BLM2425M7S60PY
- Ampleon
-
1:
$45.13
-
83En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM2425M7S60PY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC
|
|
83En existencias
|
|
|
$45.13
|
|
|
$39.52
|
|
|
$37.58
|
|
|
$34.75
|
|
|
$32.23
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
LDMOS
|
|
32 V
|
350 mOhms, 2.35 Ohms
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
27.5 dB
|
60 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOT1211-3-16
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP
- BLM2425M9S20Z
- Ampleon
-
1:
$28.70
-
Plazo de entrega 16 Semanas
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM2425M9S20Z
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP
|
|
Plazo de entrega 16 Semanas
|
|
|
$28.70
|
|
|
$20.95
|
|
|
$18.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
350 mOhms, 2.35 Ohms
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
28 dB
|
20 W
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+ 150 C
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SMD/SMT
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OMP-400-8F-1-8
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Tray
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
- BLM7G1822S-40PBGY
- Ampleon
-
1:
$42.52
-
75En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-40PBGY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
|
|
75En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
1.805 GHz to 2.17 GHz
|
33 dB
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45.1 W
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+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOT1212-3-16
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC
- BLM7G1822S-80PBGY
- Ampleon
-
1:
$65.62
-
94En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-80PBGY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC
|
|
94En existencias
|
|
|
$65.62
|
|
|
$53.22
|
|
|
$51.50
|
|
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$51.46
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$45.01
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Min.: 1
Mult.: 1
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LDMOS
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28 V
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1.805 GHz to 2.17 GHz
|
29 dB
|
49.6 dBm
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+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOT1212-3-16
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
- BLM9D2327-26BZ
- Ampleon
-
1:
$29.00
-
180En existencias
-
500Se espera el 29/04/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D2327-26BZ
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
|
|
180En existencias
500Se espera el 29/04/2026
|
|
|
$29.00
|
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$21.91
|
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$20.15
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$20.14
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|
Ver
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$18.13
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$19.68
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$19.67
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|
$18.13
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Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
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LDMOS
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65 V
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2.3 GHz to 2.7 GHz
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31.3 dB
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44.8 dBm
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+ 200 C
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SMD/SMT
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QFN-20
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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