Transistores de radiofrecuencia

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de trabajo Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Ganancia Calificación Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF MOSFETs SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2.5 kW + 225 C 29.8 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF MOSFETs SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2.5 kW + 225 C 29.8 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-1230-6F-2-7 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2.5 kW + 225 C 28..5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHG/SOT1214/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1214C-5 LDMOS 1 MHz to 450 MHz 700 W + 225 C 28.6 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PE/OMP780/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 LDMOS 1 MHz to 650 MHz 800 W + 225 C 29.2 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 10 W + 125 C 32 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 10 W + 125 C 32 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 10 W + 125 C 30.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 10 W + 125 C 30.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.4 GHz 10 W + 125 C 31.3 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.4 GHz 10 W + 125 C 31.3 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.7 GHz 46.8 dBm + 200 C 31.2 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.5 GHz to 2.7 GHz 10 W + 125 C 30 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.3 GHz to 3.6 GHz 16 W + 125 C 35 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.3 GHz to 3.6 GHz 16 W + 125 C 35 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 4.7 GHz to 5 GHz 12 W + 125 C 30 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-34 LDMOS 600 MHz to 800 MHz 46.9 dBm - 40 C + 120 C 34 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-34 LDMOS 600 MHz to 800 MHz 46.9 dBm - 40 C + 120 C 34 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-34 LDMOS 700 MHz to 1 GHz 47 dBm - 40 C + 120 C 35 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 1.8 GHz to 2.2 GHz 48.5 dBm + 125 C 32 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 1.8 GHz to 2.2 GHz 48.5 dBm + 200 C 32 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 2.3 GHz to 2.7 GHz 49.5 dBm + 200 C 33.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 3.3 GHz to 3.8 GHz 49 dBm + 200 C 38 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 3.3 GHz to 3.8 GHz 49 dBm + 200 C 38 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 3.7 GHz to 4.2 GHz 48.5 dBm + 200 C 36 dB Reel