STL160N6LF7

STMicroelectronics
511-STL160N6LF7
STL160N6LF7

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 910

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$2.10 $2.10
$1.34 $13.40
$0.908 $90.80
$0.722 $361.00
$0.672 $672.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.586 $1,758.00
$0.56 $3,360.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.