STY105NM50N

STMicroelectronics
511-STY105NM50N
STY105NM50N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

Modelo ECAD:
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En existencias: 186

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$25.10 $25.10
$16.08 $160.80
$15.09 $1,509.00
$15.08 $9,048.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
88 A
22 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
326 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STY105NM50N
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 5 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99