|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
- AHV85043K18ESTR
- Allegro MicroSystems
-
1:
$2.04
-
406En existencias
-
9,000Se espera el 9/07/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
250-AHV85043K18ESTR
Nuevo producto
|
Allegro MicroSystems
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
|
|
406En existencias
9,000Se espera el 9/07/2026
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.04
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.07
|
|
|
$1.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ768ELP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.06
-
2,320En existencias
-
3,000Se espera el 7/06/2027
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ768ELP-T1_GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2,320En existencias
3,000Se espera el 7/06/2027
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.851
|
|
|
$0.675
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.525
|
|
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$0.514
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
- SSM6L826R,LF
- Toshiba
-
1:
$0.92
-
2,086En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L826RLF
Nuevo producto
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
|
|
2,086En existencias
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.654
|
|
|
$0.407
|
|
|
$0.281
|
|
|
$0.204
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.242
|
|
|
$0.183
|
|
|
$0.168
|
|
|
$0.145
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
- MBR1060DC-AU_R2_006A1
- Panjit
-
1:
$1.03
-
6,235En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-MBR1060DCAUR26A1
|
Panjit
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
|
|
6,235En existencias
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.643
|
|
|
$0.418
|
|
|
$0.378
|
|
|
$0.378
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
$3.15
-
20,608En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20,608En existencias
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.93
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
- ZXMS6005DN8Q-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.02
-
59,128En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6005DN8Q-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
|
|
59,128En existencias
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.622
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.465
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.505
|
|
|
$0.457
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A
- SI7252ADP-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.77
-
49,719En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI7252ADP-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A
|
|
49,719En existencias
|
|
|
$2.77
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.989
|
|
|
$0.923
|
|
|
$0.874
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
- NSVT5551DW1T1G
- onsemi
-
1:
$1.08
-
2,806En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-NSVT5551DW1T1G
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
|
|
2,806En existencias
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.667
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.238
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
- FDMS86300DC
- onsemi
-
1:
$3.94
-
38,403En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86300DC
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
|
|
38,403En existencias
|
|
|
$3.94
|
|
|
$2.33
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.42
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
- SI4228DY-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.47
-
52,494En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI4228DY-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
|
|
52,494En existencias
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.927
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.389
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.437
|
|
|
$0.363
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
- SQ4961EY-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.34
-
25,482En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4961EY-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
|
|
25,482En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.811
|
|
|
$0.716
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.745
|
|
|
$0.689
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
- IRF7341GTRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.75
-
23,715En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRF7341GTRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
|
|
23,715En existencias
|
|
|
$2.75
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.975
|
|
|
$0.907
|
|
|
$0.847
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,883En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,883En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.375
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
- DMG1016V-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.52
-
265,221En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
|
|
265,221En existencias
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.287
|
|
|
$0.199
|
|
|
$0.151
|
|
|
$0.151
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 940
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
- SCS240KE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$23.55
-
1,258En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS240KE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
|
|
1,258En existencias
|
|
|
$23.55
|
|
|
$16.96
|
|
|
$16.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQJQ910EL-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$3.60
-
43,632En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
43,632En existencias
|
|
|
$3.60
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
- SI4948BEY-T1-E3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.75
-
78,985En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
781-SI4948BEY-T1-E3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
|
|
78,985En existencias
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.838
|
|
|
$0.675
|
|
|
$0.591
|
|
|
$0.551
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
- SSM6L14FE(TE85L,F)
- Toshiba
-
1:
$0.50
-
247,687En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L14FETE85LF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
|
|
247,687En existencias
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.194
|
|
|
$0.145
|
|
|
$0.095
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.129
|
|
|
$0.116
|
|
|
$0.085
|
|
|
$0.079
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT457 40V .6A NPN/P NP BJT
- PMD2001D,115
- Nexperia
-
1:
$0.22
-
186,355En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMD2001D115
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT457 40V .6A NPN/P NP BJT
|
|
186,355En existencias
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.132
|
|
|
$0.104
|
|
|
$0.098
|
|
|
$0.087
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.094
|
|
|
$0.084
|
|
|
$0.081
|
|
|
$0.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
- PMP4201Y,135
- Nexperia
-
1:
$0.66
-
288,128En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y135
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
|
|
288,128En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.261
|
|
|
$0.198
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.129
|
|
|
$0.16
|
|
|
$0.141
|
|
|
$0.129
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
- SIA907EDJT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.91
-
110,643En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIA907EDJT-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
|
|
110,643En existencias
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.815
|
|
|
$0.644
|
|
|
$0.554
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.589
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.521
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQ1922EEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
302,430En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
302,430En existencias
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.206
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.241
|
|
|
$0.189
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
- SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.22
-
71,042En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
|
|
71,042En existencias
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.41
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.77
|
|
|
$0.645
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.691
|
|
|
$0.621
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
- SQJ980AEP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.98
-
28,800En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
|
|
28,800En existencias
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ1912AEEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
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1:
$0.87
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130,738En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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130,738En existencias
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$0.87
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Mult.: 1
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