RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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37,518En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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34,280En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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41,180En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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5,980En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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5,998En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
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1,948En existencias
6,000Se espera el 24/12/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5,983En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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5,900En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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2,715En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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5,985En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5,992En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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7,700En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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4,724En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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7,762En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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5,747En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
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6,000En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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6,210En existencias
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Min.: 1
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: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
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5,634En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
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4,909En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
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6,434En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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6,183En existencias
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: 3,000

SOD-323-2
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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3,000En existencias
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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11,116En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
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5,764En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
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7,689En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3