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TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 325

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta = TDSON-8

Fabricante

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.44
16,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

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726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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$2.44

$1.54

$1.23

$1.01

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

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95 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

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+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC120N06S5N022ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.60
5,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5N022ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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5,989En existencias

Cinta cortada

$2.60

$1.67

$1.14

$0.907

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Envase tipo carrete

$0.789

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

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170 A

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136 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
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79,744En existencias

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BSC110N06NS3 G

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726-BSC110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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79,744En existencias

Cinta cortada

$1.43

$0.896

$0.595

$0.47

Envase tipo carrete

$0.388

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TDSON-8

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1 Channel

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33 nC

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC800P06LMATMA1
Infineon Technologies
1: $1.74
3,273En existencias

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ISC800P06LMATMA1

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726-ISC800P06LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$0.741

$0.585

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TDSON-8

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: $3.06
65,912En existencias

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BSC010N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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Cinta cortada

$3.06

$1.97

$1.35

$1.11

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Envase tipo carrete

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TDSON-8

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1 Channel

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.44
5,548En existencias

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BSC360N15NS3 G

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726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

$2.44

$1.56

$1.06

$0.884

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Envase tipo carrete

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

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33 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.12
77,739En existencias

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BSC065N06LS5ATMA1

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726-BSC065N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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77,739En existencias

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$2.12

$1.34

$0.894

$0.733

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Envase tipo carrete

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC016N06NSTATMA1
Infineon Technologies
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NRND

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BSC016N06NSTATMA1

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726-BSC016N06NSTATM1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$3.87

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$1.48

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139 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
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NRND

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BSC054N04NS G

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726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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121,753En existencias

Cinta cortada

$1.37

$0.85

$0.554

$0.427

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Envase tipo carrete

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TDSON-8

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1 Channel

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81 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC072N04LDATMA1
Infineon Technologies
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24,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC072N04LDATMA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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24,278En existencias

Cinta cortada

$1.73

$1.10

$0.736

$0.581

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$0.491

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TDSON-8

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1.2 V

52 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.27
9,564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC150N03LDGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC150N03LDGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

9,564En existencias

Cinta cortada

$1.27

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$0.526

$0.41

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$0.32

MouseReel Disponible

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TDSON-8

N-Channel

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30 V

20 A

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1 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC050N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.64
15,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N10NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

15,497En existencias

Cinta cortada

$2.64

$1.70

$1.17

$0.878

Envase tipo carrete

$0.878

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

100 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.24
53,840En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSGATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

53,840En existencias

Cinta cortada

$1.24

$0.777

$0.512

$0.398

Ver

Envase tipo carrete

$0.309

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.87
19,898En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S51R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R2AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

19,898En existencias

Cinta cortada

$1.87

$1.31

$1.08

$0.94

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Envase tipo carrete

$0.848

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
1: $1.93
4,117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC155N06NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC155N06NDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

4,117En existencias

Cinta cortada

$1.93

$1.05

$0.81

$0.661

Ver

Envase tipo carrete

$0.576

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.23
10,931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

Hoja de datos

10,931En existencias

Cinta cortada

$3.23

$2.10

$1.54

$1.29

$1.12

Envase tipo carrete

$1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

159 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

63.4 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.54
6,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC061N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

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Hoja de datos

6,010En existencias

Cinta cortada

$2.54

$1.67

$1.12

$0.897

Ver

Envase tipo carrete

$0.832

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

82 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $1.57
9,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

9,948En existencias

Cinta cortada

$1.57

$1.02

$0.661

$0.52

$0.459

Envase tipo carrete

$0.429

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NSI
Infineon Technologies
1: $1.21
9,541En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

9,541En existencias

Cinta cortada

$1.21

$0.546

$0.421

$0.367

Ver

Envase tipo carrete

$0.299

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.68
2,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6N010ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N010

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

2,235En existencias

Cinta cortada

$2.68

$1.74

$1.19

$0.962

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Envase tipo carrete

$0.898

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.03 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC70N04S5L4R2ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.37
9,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPC70N04S5L4R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC70N04S5L4R2AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

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Hoja de datos

9,700En existencias

Cinta cortada

$1.37

$0.861

$0.57

$0.445

Ver

Envase tipo carrete

$0.355

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

3.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-50
Infineon Technologies
1: $1.71
2,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-50

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-50

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSI
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TDSON-8

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1 Channel

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100 A

1.45 mOhms

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1.2 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

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TDSON-8

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1 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
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BSC067N06LS3GATMA1

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726-BSC067N06LS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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60 V

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1.2 V

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TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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10.9 A
11 A
11.3 A
15.2 A
16 A
19.6 A
20 A
21 A
22 A
23 A
24 A
25 A
28 A
29 A
31 A
32 A
33 A
36 A
39 A

500 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
910 uOhms
950 uOhms
960 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.12 mOhms
1.13 mOhms
1.15 mOhms

1 V
1.1 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V
3 V
3.1 V
3.15 V
3.2 V
3.3 V

5.6 nC
7 nC
7.4 nC
7.6 nC
8.6 nC
8.7 nC
9 nC
9.1 nC
9.4 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
11 nC
11.1 nC
11.6 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.2 nC
13.4 nC

2.5 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
33 W
34 W
35 W
36 W
37 W
38 W
41 W
42 W
43 W
46 W
48 W
50 W
51 W
52 W