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TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 326

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta = TDSON-8

Fabricante

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

ISC019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.45
198En existencias
5,000Se espera el 20/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N10NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

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198En existencias

5,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

$5.45

$3.57

$2.66

$2.23

$2.07

Envase tipo carrete

$1.75

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

245 A

1.93 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

ISC033N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.11
150En existencias
5,000Se espera el 10/06/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC033N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC033N10NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

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Hoja de datos

150En existencias

5,000Se espera el 10/06/2027

Cinta cortada

$3.11

$2.02

$1.40

$1.17

Ver

Envase tipo carrete

$0.937

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.33 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
1: $3.72
2,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC16DP15LMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC16DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

2,870En existencias

Cinta cortada

$3.72

$2.32

$1.47

$1.27

$1.15

Envase tipo carrete

$1.11

MouseReel Disponible

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TDSON-8

P-Channel

1 Channel

150 V

22 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.64
19,895En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S51R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R2AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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19,895En existencias

Cinta cortada

$2.64

$1.51

$1.16

$1.04

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Envase tipo carrete

$0.78

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1: $1.51
121,213En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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121,213En existencias

Cinta cortada

$1.51

$0.928

$0.611

$0.48

Envase tipo carrete

$0.321

Ver

MouseReel Disponible

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

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26 nC

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57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC072N04LDATMA1
Infineon Technologies
1: $1.97
19,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC072N04LDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC072N04LDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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19,089En existencias

Cinta cortada

$1.97

$1.16

$0.799

$0.653

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Envase tipo carrete

$0.497

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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2 Channel

40 V

20 A

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1.2 V

52 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.85
4,900En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC360N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,900En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

$2.85

$1.83

$1.24

$1.05

Ver

Envase tipo carrete

$0.842

MouseReel Disponible

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1: $1.81
3,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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3,500En existencias

Cinta cortada

$1.81

$1.14

$0.573

$0.452

$0.45

Envase tipo carrete

$0.45

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

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100 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: $1.00
9,659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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9,659En existencias

Cinta cortada

$1.00

$0.662

$0.439

$0.33

Envase tipo carrete

$0.215

Ver

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

30 V

63 A

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13 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
1: $2.09
4,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC155N06NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC155N06NDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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4,017En existencias

Cinta cortada

$2.09

$1.25

$0.894

$0.724

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Envase tipo carrete

$0.583

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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2 Channel

60 V

20 A

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- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC009NE2LS
Infineon Technologies
1: $2.26
4,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

4,929En existencias

Cinta cortada

$2.26

$1.44

$0.665

Envase tipo carrete

$0.622

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

168 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.05
3,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC076N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

3,368En existencias

Cinta cortada

$2.05

$1.29

$0.845

$0.67

Envase tipo carrete

$0.523

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

BSC084P03NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.98
9,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC084P03NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC084P03NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

Hoja de datos

9,130En existencias

Cinta cortada

$1.98

$1.22

$0.804

$0.632

Envase tipo carrete

$0.434

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

P-Channel

1 Channel

30 V

78.6 A

6.1 mOhms

- 25 V, 25 V

3.1 V

57.7 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

BSC110N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.96
8,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC110N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N15NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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8,770En existencias

Cinta cortada

$3.96

$2.59

$1.89

$1.59

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Envase tipo carrete

$1.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

76 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.96
14,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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Hoja de datos

14,465En existencias

Cinta cortada

$2.96

$1.82

$1.33

$1.08

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Envase tipo carrete

$0.946

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.39
9,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032NE2LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

9,134En existencias

Cinta cortada

$1.39

$0.708

$0.499

$0.411

Ver

Envase tipo carrete

$0.311

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

84 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.17
9,736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

Hoja de datos

9,736En existencias

Cinta cortada

$3.17

$2.06

$1.42

$1.19

Ver

Envase tipo carrete

$1.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

159 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

63.4 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.47
3,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,510En existencias

Cinta cortada

$3.47

$2.25

$1.56

$1.30

Ver

Envase tipo carrete

$1.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $2.31
4,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0500NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0500NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

4,697En existencias

Cinta cortada

$2.31

$1.43

$0.965

$0.782

Ver

Envase tipo carrete

$0.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $2.00
20,566En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0501NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0501NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

20,566En existencias

Cinta cortada

$2.00

$1.17

$0.811

$0.661

Envase tipo carrete

$0.502

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

130 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC50N04S5L5R5ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.46
15,435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPC50N04S5L5R5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC50N04S5L5R5AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

15,435En existencias

Cinta cortada

$1.46

$0.764

$0.559

$0.479

Envase tipo carrete

$0.337

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

5.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1: $1.71
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MS G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

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TDSON-8

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100 A

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- 20 V, 20 V

1 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L012ATMA1
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IAUC120N04S6L012ATMA1

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726-IAUC120N04S6L012

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

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- 16 V, 16 V

1.6 V

60 nC

- 55 C

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSI
Infineon Technologies
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BSC014N04LSI

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726-BSC014N04LSI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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TDSON-8

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1 Channel

40 V

100 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

55 nC

- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MSGATMA1
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BSC030N03MSGATMA1

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726-BSC030N03MSGATMA

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100 A

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TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

7 A
10.9 A
11 A
11.3 A
15.2 A
16 A
19.6 A
20 A
21 A
22 A
23 A
24 A
25 A
28 A
29 A
31 A
32 A
33 A
36 A
39 A

500 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
910 uOhms
950 uOhms
960 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.12 mOhms
1.13 mOhms
1.15 mOhms

1 V
1.1 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V
3 V
3.1 V
3.15 V
3.2 V

5.6 nC
7 nC
7.4 nC
7.6 nC
8.6 nC
8.7 nC
9 nC
9.1 nC
9.4 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
11 nC
11.1 nC
11.6 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.2 nC
13.4 nC

2.5 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
33 W
34 W
35 W
36 W
37 W
38 W
41 W
42 W
43 W
46 W
48 W
50 W
51 W
52 W