PSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET
Hoja de datos
1,577En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET
Hoja de datos
1,039En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 108 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 150 C 113.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/3.3mO / TO-220AB-L
Hoja de datos
1,975En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 100 V 219 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market
Hoja de datos
2,202En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si Through Hole TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 100 V 219 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.4m ohms Best-in-Class FOM MOSFET for DC to DC converter
Hoja de datos
5,762En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 102 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution
Hoja de datos
5,649En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution
Hoja de datos
5,189En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application
Hoja de datos
6,000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 61 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution
Hoja de datos
5,990En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution
Hoja de datos
6,438En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 21 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 9 nC - 55 C + 175 C 29.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application
Hoja de datos
1,610En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 24 nC - 55 C + 175 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm MV MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 161 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/8.1mO / TO-252AA
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

Si N-Channel 100 V 395 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 128 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

Si N-Channel 100 V 240 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 65 nC Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/6.8mO / DFN3333S-8L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN3333S-8L N-Channel 1 Channel 80 V 63.8 A 6.8 mOhms 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/8.7mO / DFN3333S-8L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN3333S-8L N-Channel 1 Channel 80 V 55 A 8.7 mOhms 20 V 2.3 V 18 nC - 55 C + 175 C 57.7 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/9.5mO / DFN3333S-8L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN3333S-8L N-Channel 1 Channel 100 V 54 A 9.5 mOhms 20 V 3.8 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/9.6mO / DFN3333S-8L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN3333S-8L N-Channel 1 Channel 100 V 50.1 A 9.6 mOhms 20 V 2.2 V 24.8 nC - 55 C + 175 C 53.6 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/ 2mO / DFN5060S-8L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN5060S-8L N-Channel 80 V 307 A 2 mOhms 20 V 3.8 V 70 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/2.8mO /DFN5060S-8L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Reel