Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
138En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 50
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
700En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
700En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
214En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
113En existencias
1,000En pedido
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Min.: 1
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
700En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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614En existencias
600Se espera el 9/07/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
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200En existencias
Min.: 1
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: 500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SOD-128-2
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Hoja de datos
12En existencias
600Se espera el 2/04/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
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11,099En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
Hoja de datos
63En existencias
Min.: 1
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IGBT Modules Si Through Hole SDIPHP-30


STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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543En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
Hoja de datos
3,719En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5)
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
Hoja de datos
6,401En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
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2,495En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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178En existencias
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Min.: 1
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: 200

MOSFETs Si
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
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5,787En existencias
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Min.: 1
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: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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517En existencias
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Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
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3,994En existencias
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Min.: 1
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: 1,000

SCRs
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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1,435En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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41,883En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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11,823En existencias
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Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
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47,393En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
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70,211En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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19,979En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8