Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN 4,015En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 35A N CHAN 4,873En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 35 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 40V 100A N CHAN 4,780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A 16En existencias
2,500Se espera el 10/06/2026
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: 2,500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel