Power Modules Módulos MOSFET

Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
Hoja de datos
124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Press Fit 6 Channel 30 A 60.5 mOhms 1.2 kV - 10 V, 22 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
Hoja de datos
127En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Press Fit 6 Channel 1.2 kV 30 A 114 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 188 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMX Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMX Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMX Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMX Tube
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 12
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 132
Mult.: 132

Press Fit 6 Channel 1.2 kV 30 A 114 mOhms - 10 V to + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 48
Mult.: 48

2.3 kV 296 A N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 48
Mult.: 48

2.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 48
Mult.: 48

SiCPAK G+ 2.3 kV 8 mOhms - 55 C + 150 C N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 48
Mult.: 48

2.3 kV 8 mOhms - 55 C + 150 C N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 48
Mult.: 48

2.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 48
Mult.: 48

2.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 48
Mult.: 48

3.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 48
Mult.: 48

3.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray