Toshiba Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
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MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3 P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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26,382En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
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MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
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11,261En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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56,524En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
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374En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
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MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SMW-3 N-Channel
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
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131En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel
Toshiba IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
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IGBT Transistors Si Through Hole
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
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MOSFETs Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
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MOSFETs Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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23,774En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
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15,000En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SSM PLN TRANSISTOR, Pd=100mW, F=80MHz
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259,297En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
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16,109En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel