Industrial Product Solutions

ROHM Industrial Product Solutions supply a quality lineup of products from passive devices and discrete to ICs and modules, providing total solutions at the system level. The ROHM Industrial Product Solutions have achieved high quality, technological capability, and a stable supply of products (over ten years), creating innovative solutions in a highly integrated production system. These products meet the rapidly evolving needs of the industrial equipment market. ROHM continues to leverage its strengths providing optimized solutions tailored to customer sets.

Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
455En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1,064En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
1,246En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-3PFM-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 3.7 A 1.5 Ohms - 6 V, + 22 V 4 V 14 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
695En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
322En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
939En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
67En existencias
450Se espera el 20/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
24En existencias
3,150En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement