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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263-2L
IXYS IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
Hoja de datos
80En existencias
300Se espera el 27/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263-2L
IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
Hoja de datos
85En existencias
300Se espera el 27/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263AB-2
IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Hoja de datos
74En existencias
300Se espera el 3/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Hoja de datos
4,159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
Hoja de datos
1,397En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
Hoja de datos
262En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT
IXYS IGBTs 650V/166A XPT Copacked SOT-227B
Hoja de datos
787En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
Hoja de datos
292En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
Hoja de datos
403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs TO264 1200V 110A GENX4
Hoja de datos
148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Hoja de datos
1,867En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs TO247 2500V 16A IGBT
Hoja de datos
287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
Hoja de datos
374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
Hoja de datos
320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
Hoja de datos
311En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO263 1200V 20A XPT
Hoja de datos
374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3

IXYS MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Hoja de datos
548En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
Hoja de datos
660En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
Hoja de datos
280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Hoja de datos
1,270En existencias
150Se espera el 8/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
Hoja de datos
749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs SOT227 1200V 110A GENX4
Hoja de datos
320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS IGBTs TO268 1200V 85A XPT
Hoja de datos
475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)