Tube Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
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187En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
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299En existencias
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Máx.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
APC-E MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
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288En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
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268En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
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290En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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411En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
APC-E MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
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270En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
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2,102En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Central Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
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27En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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799En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
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1,292En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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1,901En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET
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16,463En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
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6,774En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
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13,277En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
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428En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM
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1,908En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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2,424En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
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7,438En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET
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10,888En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
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273En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
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391En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3L
IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
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85En existencias
300Se espera el 27/07/2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263AB-2
IXYS IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
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300En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263-2L
IXYS IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
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80En existencias
300Se espera el 27/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263-2L