Transistor metal-&#243;xido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

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SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

80 V

129 A

3.6 mOhms

20 V

3.2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
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IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1

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726-IQEH42NE2LM7ZCGS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

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SMD/SMT

PG-WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

460 A

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.

ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: $5.32
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8,000Se espera el 6/08/2026
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ISCH57N04NM7VSCATMA1

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726-ISCH57N04NM7VSCA

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WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

443 A

520 uOhms

20 V

3.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
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ISC024N08NM7ATMA1

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726-ISC024N08NM7ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

167 A

2.4 mOhms

20 V

3.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

IXTX400N20X4
IXYS
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IXTX400N20X4

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747-IXTX400N20X4

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

400 A

3.3 mOhms

20 V

4.5 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

TPM1R408RH,LQ
Toshiba
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2,737En existencias
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TPM1R408RH,LQ

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757-TPM1R408RHLQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

80 V

288 A

1.4 mOhms

20 V

3.6 V

80 nC

+ 175 C

250 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: $3.32
1,398En existencias
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SQJ461EP-T1_NE3

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78-SQJ461EP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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PowerPAK SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

60 V

30 A

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2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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SQJ463EP-T1_NE3

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78-SQJ463EP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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PowerPAK SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

10 mOhms

20 V

2.5 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.33
5,401En existencias
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IAUCN10S7L040ATMA1

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726-IAUCN10S7L040ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQRS160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $3.92
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SQRS160EP-T1_GE3

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78-SQRS160EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8SW

N-Channel

1 Channel

60 V

373 A

2 mOhms

20 V

3.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

270 W

Enhancement

ISCH75N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.75
2,347En existencias
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ISCH75N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH75N04NM7VSCA

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2,347En existencias

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$3.75

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$1.12

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: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

339 A

650 uOhms

20 V

3.2 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: $1.84
2,040En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ858AEP-T1_NE3

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78-SQJ858AEP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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2,040En existencias

$1.84

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$0.747

$0.587

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L

N-Channel

1 Channel

40 V

58 A

6.3 mOhms

20 V

2.5 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: $3.84
690En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQM40022EM_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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690En existencias

$3.84

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$1.83

$1.53

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SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

1.63 mOhms

20 V

3.5 V

106 C

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7L042GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.67
1,729En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L042GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L042GAT

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

Hoja de datos

1,729En existencias

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$1.67

$1.03

$0.677

$0.532

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$0.356

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: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

77 A

4.4 mOhms

20 V

1.8 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R099CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.63
784En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPLT60R099CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R099CM8XTM

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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784En existencias

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$4.63

$3.03

$2.26

$1.89

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$1.64

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: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

99 mOhms

20 V

4.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

186 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

ISC040N10NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.09
417En existencias
5,000Se espera el 27/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC040N10NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC040N10NM7ATMA

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

Hoja de datos

417En existencias

5,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

$3.09

$1.99

$1.36

$1.11

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Envase tipo carrete

$0.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

4 mOhms

20 V

3.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SI3493DDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: $0.85
5,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI3493DDV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3493DDV-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

5,950En existencias

Cinta cortada

$0.85

$0.59

$0.373

$0.231

Envase tipo carrete

$0.151

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

0.024 Ohms

8 V

1 V

34.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQM120P06-07L_NE3
Vishay Semiconductors
1: $4.21
541En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM120P06-07L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P06-07L_NE3

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

541En existencias

$4.21

$2.76

$2.06

$1.73

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

60 V

120 A

8.8 mOhms

20 V

2.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D5N08XT1G
onsemi
1: $1.82
902En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D5N08XT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Hoja de datos

902En existencias

Cinta cortada

$1.82

$1.16

$0.773

Envase tipo carrete

$0.773

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Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

94 A

4.5 mOhms

20 V

3.6 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package

STB25N018M9
STMicroelectronics
1: $6.13
96En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STB25N018M9

N.º de artículo de Mouser
511-STB25N018M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package

Hoja de datos

96En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

$6.13

$4.02

$2.96

$2.67

Envase tipo carrete

$2.26

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

250 V

56 A

18 mOhms

30 V

4.2 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N037GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.78
1,743En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N037GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N037GAT

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

Hoja de datos

1,743En existencias

Cinta cortada

$1.78

$1.10

$0.722

$0.567

Envase tipo carrete

$0.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

91 A

3.65 mOhms

20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK

IPB018N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.27
672En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB018N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N10NM8ATMA

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK

Hoja de datos

672En existencias

Cinta cortada

$5.27

$3.46

$2.58

$2.23

Envase tipo carrete

$1.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

100 V

176 A

1.76 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

IPF014N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.83
346En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF014N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF014N10NM8ATMA

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

Hoja de datos

346En existencias

Cinta cortada

$5.83

$3.82

$2.82

$2.56

Envase tipo carrete

$2.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

321 A

1.42 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

ISC019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.45
136En existencias
5,000Se espera el 20/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N10NM8ATMA1

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726-ISC019N10NM8ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

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136En existencias

5,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

$5.45

$3.57

$2.66

$2.23

$2.07

Envase tipo carrete

$1.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

245 A

1.93 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
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ST8L65N065DM9

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511-ST8L65N065DM9

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package