250 mA Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH 930,508En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 30 V 250 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.3 nC - 55 C + 150 C 272 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.5V Drive Nch MOSFET 219,181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 255,260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAK-Q/SOT23/TO-236AB 355En existencias
6,000Se espera el 2/04/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 250 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 390 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET 2,616En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 40 V 250 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Reel, Cut Tape

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 310mW 23,416En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 16,594En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 19,340En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 250 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 7,970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 200 V 250 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12Ohm 5,015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 15 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 179,935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH 16,656En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 800 V 250 mA 16 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -250mA SOT-23 82,407En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 250 mA 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 105,938En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 108,453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V 54,279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.65 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 250mA Dual N-Channel 115,916En existencias
66,000Se espera el 22/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,680
: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 30 V 250 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 900 pC - 55 C + 150 C 272 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF 8,861En existencias
10,000Se espera el 3/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT X2-DFN0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 990 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 13Ohm 1,128En existencias
2,000Se espera el 26/03/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 500 V 250 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8Ohm 1,254En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 40 V 250 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8Ohm 1,160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90V 8Ohm 1,140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 90 V 250 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 14,329En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 16,210En existencias
24,000Se espera el 29/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF 1,354En existencias
16,000Se espera el 1/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel