Diodes Incorporated DMN63 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V DUAL N-CH MOSFET 469,499En existencias
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 30 V 260 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 870 pC - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 2,990En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA 145,121En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V 870 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA 2,783En existencias
12,000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 870 pC - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA 26,577En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 30 V 220 mA 2.8 Ohms, 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 870 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA 2,535En existencias
3,000Se espera el 12/06/2026
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 30 V 260 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 870 pC - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A 2,537En existencias
30,000En pedido
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Carrete: 10,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 30 V 380 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 900 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A 359En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 30 V 380 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 900 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 30,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 93,000Existencias en fábrica disponibles
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Si SMD/SMT SOT-363-6 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 Reel, Cut Tape, MouseReel