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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Depletion Mode Vertical DMOS FET 1,835En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 mA 380 Ohms - 15 V, 15 V 3.1 V - 55 C + 110 C 400 mW Depletion Reel, Cut Tape
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH DEP MOSFET 800V 45 Oh SOT-223-2L TR
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Si SMD/SMT SOT-223-2 N-Channel 1 Channel 800 V 100 mA 32.5 Ohms - 15 V, 15 V - 55 C + 150 C 2.25 W Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel