OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 34,488En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 30 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 16.3 nC - 55 C + 175 C 29 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 8,752En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 13.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 14 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8 7,001En existencias
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Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.2 mOhms, 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 17 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2 1,682En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 66 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 5,491En existencias
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Carrete: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 13,911En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 81 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P 2,455En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V 4,735En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2 10,717En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3 2,075En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 7,282En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.2 mOhms, 7.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 454En existencias
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TO220-3 3,529En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 3,438En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T 2,894En existencias
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T 1,800En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 2,482En existencias
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Carrete: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 74 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 3,795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 128 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T 2,140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 27 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 13,563En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 33 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3 5,151En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 47 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 8,483En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 44 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3 11,140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 24,303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3 78,541En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel