OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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14,785En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8-3 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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4,677En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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8,894En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
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2,621En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
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4,978En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
4,611En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
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992En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 83 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8
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6,245En existencias
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Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 25 V 40 A 3.7 mOhms, 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 3 nC, 8.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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9,978En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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9,601En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
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4,603En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000
Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 3.8 mOhms, 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10 nC, 18.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3
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7,108En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 13.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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9,366En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 82 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
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6,017En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)
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9,720En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 3.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
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2,982En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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5,001En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 168 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3
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6,853En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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3,577En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
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9,318En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 P-Channel 1 Channel 30 V 78.6 A 6.1 mOhms - 25 V, 25 V 3.1 V 57.7 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
4,520En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 250 V 10.9 A 146 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11.4 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
9,935En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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581En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
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3,645En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 14.9 A 10.3 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 66 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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4,307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape