IXYS MOSFETs de SiC

Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 100En existencias
450Se espera el 2/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 78En existencias
800Se espera el 2/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement

IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET 4,196En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

IXYS MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet 548En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC 1,927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2,090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 50A N-CH SIC 431En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 50 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 175 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L 900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L 900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L 550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV 550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 402En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 52 nC - 40 C + 150 C 75.3 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 45 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 142 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 483En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 22.5 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 154 nC - 40 C + 150 C 266 W Enhancement
IXYS IXFN27N120SK
IXYS MOSFETs de SiC SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini 14En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT HiPerFET
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263 76En existencias
800Se espera el 16/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL 76En existencias
2,000Se espera el 16/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL 80En existencias
2,000Se espera el 16/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV 100En existencias
450Se espera el 23/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 760En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 392En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement