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800 V
2.5 A
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20 V
2.5 V
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800 V
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20 V
2.5 V
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VSON-4
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650 V
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230 mOhms
20 V
4 V
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650 V
75 A
17 mOhms
20 V
3 V
215 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
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DPAK-3 (TO-252-3)
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800 V
4.5 A
1 Ohms
20 V
2.5 V
11 nC
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+ 150 C
37 W
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VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
153 mOhms
20 V
3.5 V
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- 40 C
+ 150 C
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TO-247-3
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600 V
37 A
69 mOhms
20 V
3 V
51 nC
- 55 C
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600 V
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80 mOhms
20 V
3 V
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VSON-4
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
115 mOhms
20 V
3 V
35 nC
- 40 C
+ 150 C
102 W
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IPP65R065C7
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
58 mOhms
20 V
3 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
171 W
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IPL60R065P7AUMA1
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VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
41 A
53 mOhms
20 V
3 V
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- 40 C
+ 150 C
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N-Channel
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3 V
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33 A
66 mOhms
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3.5 V
67 nC
- 40 C
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189 W
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