Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

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IPD60R170CFD7ATMA1
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$1.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

CoolMOS

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IPL60R160CFD7AUMA1
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$1.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

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IPZA65R029CFD7XKSA1
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$11.85

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$8.42

$8.22

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

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IPT60R105CFD7XTMA1
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$2.24

$2.16

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$2.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

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IPL60R095CFD7AUMA1
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Envase tipo carrete

$2.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPP60R170CFD7XKSA1
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$1.88

$1.70

$1.38

$1.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPT60R075CFD7XTMA1
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$3.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPW60R024CFD7XKSA1
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1: $16.69
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726-IPW60R024CFD7XKS

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$12.02

$9.71

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

77 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

Tube

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IPL60R075CFD7AUMA1
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1: $7.56
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$3.72

$3.57

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Envase tipo carrete

$3.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

66 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPL60R185CFD7AUMA1
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$3.69

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$1.57

$1.47

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$1.24

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

153 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPT60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $7.74
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IPT60R055CFD7XTMA1

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$5.24

$3.82

$3.67

$3.47

Envase tipo carrete

$3.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

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NRND

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$8.58

$5.84

$4.29

$4.27

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$4.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPA60R125CFD7XKSA1
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1: $5.14
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IPA60R125CFD7XKSA1

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726-IPA60R125CFD7XKS

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$5.14

$2.66

$2.42

$1.99

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $14.54
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R029CFD7XKS

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$14.54

$8.47

$8.10

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

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IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.74
946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R170CFD7XKSA1

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726-IPA60R170CFD7XKS

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946En existencias

$3.74

$1.89

$1.71

$1.39

$1.30

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.69
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R070CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM

Infineon Technologies

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831En existencias

Cinta cortada

$7.69

$5.15

$4.14

$3.68

Envase tipo carrete

$3.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.03
268En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R060CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R060CFD7SA1

NRND

Infineon Technologies

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Hoja de datos

268En existencias

$9.03

$5.82

$4.56

$4.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.57
1,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM

Infineon Technologies

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Hoja de datos

1,969En existencias

Cinta cortada

$9.57

$6.55

$5.54

$5.15

Envase tipo carrete

$4.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.71
642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

642En existencias

$6.71

$3.91

$3.24

$2.87

$2.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $20.04
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

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215En existencias

$20.04

$14.97

$12.94

$12.25

Presupuesto

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

251 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.36
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

428En existencias

$9.36

$6.40

$5.28

$4.54

$4.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.03
3,404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

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Hoja de datos

3,404En existencias

Cinta cortada

$4.03

$2.65

$1.86

$1.53

Envase tipo carrete

$1.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $8.06
780En existencias
3,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

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Hoja de datos

780En existencias

3,000Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

$8.06

$5.68

$4.59

$4.08

$3.86

Envase tipo carrete

$3.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 40 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.64
840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

840En existencias

$7.64

$5.11

$4.19

$3.55

$3.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
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IPT60R045CFD7XTMA1

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

52 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A
52 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
144 mOhms

24 W
26 W
32 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W
178 W