Resultados: 36
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3 426En existencias
$17.36
$13.22
$11.02
$9.81
$9.29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3 254En existencias
$16.44
$9.34
$9.29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY 585En existencias
$7.22
$4.73
$3.49
$2.77
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 340 mOhms 20 V 3.5 V 94 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 8,652En existencias
Cinta cortada
$1.63
$0.773
$0.689
$0.592
$0.55
Envase tipo carrete
$0.419
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.9 A 2.8 Ohms 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY 3,434En existencias
Cinta cortada
$2.55
$1.25
$1.08
$0.895
$0.851
Envase tipo carrete
$0.774
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,649En existencias
$2.01
$0.964
$0.862
$0.707
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 30 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3 972En existencias
$2.80
$1.47
$1.24
$1.00
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM 760En existencias
$4.95
$3.25
$2.42
$1.81
$1.77
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
993En existencias
Cinta cortada
$4.31
$2.37
$2.16
$1.85
Envase tipo carrete
$1.74
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 22,433En existencias
Cinta cortada
$2.06
$0.989
$0.884
$0.701
Envase tipo carrete
$0.578
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 18.1 A 280 mOhms 20 V 3 V 32.6 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4,672En existencias
Cinta cortada
$1.92
$0.913
$0.798
$0.633
Envase tipo carrete
$0.496
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY 152En existencias
$17.12
$10.94
$9.96
$9.70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 36 A 120 mOhms 20 V 3.5 V 270 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 1,691En existencias
7,200En pedido
$6.04
$3.19
$2.86
$2.64
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 6,108En existencias
Cinta cortada
$1.24
$0.578
$0.513
$0.398
Envase tipo carrete
$0.32
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 600 mOhms 20 V 3.5 V 9 nC - 40 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY 987En existencias
Cinta cortada
$6.80
$3.61
$3.31
$3.09
Envase tipo carrete
$2.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 340 mOhms 20 V 3.5 V 94 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY 2,450En existencias
Cinta cortada
$2.50
$1.22
$1.08
$0.862
$0.80
Envase tipo carrete
$0.694
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.1 A 1.2 Ohms 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,722En existencias
Cinta cortada
$0.84
$0.384
$0.339
$0.259
Envase tipo carrete
$0.199
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 3.51 Ohms 20 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY 304En existencias
$3.60
$1.81
$1.64
$1.30
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1 A 450 mOhms 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 7,546En existencias
Cinta cortada
$0.80
$0.361
$0.318
$0.242
Envase tipo carrete
$0.175
$0.152
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 4.68 Ohms 20 V 2.5 V 6 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 1,460En existencias
$2.90
$1.43
$1.29
$1.04
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 170 mOhms 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3 990En existencias
$3.98
$2.06
$1.87
$1.51
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,607En existencias
$2.59
$1.30
$1.14
$0.897
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3 443En existencias
$3.07
$1.53
$1.41
$1.10
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16.8 A 538 mOhms 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 397En existencias
17,500En pedido
Cinta cortada
$1.64
$0.911
$0.671
$0.526
$0.483
Envase tipo carrete
$0.376
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,442En existencias
12,000En pedido
Cinta cortada
$1.22
$0.565
$0.501
$0.427
Envase tipo carrete
$0.33
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel