Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 37

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: $1.05
926En existencias
6,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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926En existencias

6,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

$1.05

$0.574

$0.403

$0.272

$0.229

Envase tipo carrete

$0.158

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.29
430En existencias
9,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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430En existencias

9,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

$1.29

$0.799

$0.525

$0.427

$0.375

Envase tipo carrete

$0.306

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $0.92
1,465En existencias
12,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R2K0P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,465En existencias

12,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

$0.92

$0.42

$0.37

$0.284

Envase tipo carrete

$0.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

3 A

1.64 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE

IPP50R280CE
Infineon Technologies
1: $1.96
99En existencias
500Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R280CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R280CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE

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Hoja de datos

99En existencias

500Se espera el 26/11/2026

$1.96

$1.11

$0.818

$0.629

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: $0.84
1,737En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,737En existencias

Cinta cortada

$0.84

$0.384

$0.339

$0.259

Envase tipo carrete

$0.199

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

3.51 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.4 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD90R1K2C3ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.48
2,500Se espera el 22/07/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90R1K2C3ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90R1K2C3ATMA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

2,500Se espera el 22/07/2027

Cinta cortada

$2.48

$1.57

$1.06

$0.861

Envase tipo carrete

$0.721

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

5.1 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.81
1,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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Hoja de datos

1,000Se espera el 3/09/2026

$2.81

$1.38

$1.24

$0.997

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.11
2,500Se espera el 18/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,500Se espera el 18/03/2027

$2.11

$1.11

$0.871

$0.69

$0.651

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.43
2,462Se espera el 10/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,462Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

$1.43

$0.669

$0.594

$0.462

$0.44

Envase tipo carrete

$0.353

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.9 A

540 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20.5 nC

- 40 C

+ 150 C

82 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3

IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $1.85
Plazo de entrega 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R650CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R650CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega 8 Semanas

$1.85

$0.88

$0.683

$0.605

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10.1 A

650 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
500: $1.17
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R190P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

$1.17

$1.13

$1.07

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPP90R1K2C3XKSA2
Infineon Technologies
1: $2.74
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP90R1K2C3XKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP90R1K2C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

$2.74

$1.76

$1.20

$0.874

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

5.1 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
1.9 A
2.4 A
3 A
5 A
5.1 A
6 A
8.5 A
9 A
9.9 A
10.1 A
11 A
11.1 A
12 A
12.5 A
13 A
13.8 A
14.7 A
15 A
16.8 A

77 mOhms
89 mOhms
113 mOhms
120 mOhms
144 mOhms
145 mOhms
170 mOhms
190 mOhms
214 mOhms
252 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
340 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
490 mOhms
538 mOhms
540 mOhms
600 mOhms
650 mOhms

3.8 nC
6 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
12 nC
13 nC
16.4 nC
18 nC
18.7 nC
20.5 nC
23 nC
25 nC
25.5 nC
28 nC
31 nC
32 nC
32.6 nC
44 nC
45 nC

5 W
6 W
6.9 W
7 W
26 W
26.5 W
28 W
30 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
41 W
42 W
53 W
82 W
83 W
92 W
119 W