Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
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AEC-Q100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB038N12N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB020NE7N3 G
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120 A
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB025N08N3 G
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Fin de vida útil
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
5,165 En existencias
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
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2.8 V
206 nC
- 55 C
+ 175 C
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
631 En existencias
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
80 A
6.7 mOhms
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+ 175 C
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB120N04S4-01
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
698 En existencias
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
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3 V
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- 55 C
+ 175 C
300 W
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AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N04S4-02
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
969 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
2.1 mOhms
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3 V
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- 55 C
+ 175 C
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
IPB107N20NAXT
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
3,834 En existencias
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.6 mOhms
20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB120N04S4-02
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
849 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.58 mOhms
20 V
2 V
134 nC
- 55 C
+ 175 C
158 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
1:
$2.46
1,453 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1,453 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4.2 mOhms
20 V
3 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
1:
$5.40
979 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
979 En existencias
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Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
800 uOhms
20 V
2 V
286 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB70N10S3-12
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1:
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700 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
700 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
70 A
9.4 mOhms
20 V
2 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
1:
$3.46
821 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
821 En existencias
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1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
3 mOhms
20 V
2 V
98 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
1:
$8.00
7,477 En existencias
7,000 Se espera el 1/04/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
7,477 En existencias
7,000 Se espera el 1/04/2027
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Mult.: 1
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1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
250 V
64 A
17.5 mOhms
20 V
2 V
86 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1:
$2.99
2,500 En existencias
2,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,500 En existencias
2,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
2,500 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 8/10/2026
1,000 Se espera el 22/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas
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Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
24.8 A
450 mOhms
20 V
3 V
47.2 nC
- 40 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB019N08N3 G
Infineon Technologies
1:
$6.72
1,791 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,791 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
80 V
180 A
1.6 mOhms
20 V
2 V
206 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1:
$3.52
7,606 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
7,606 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
4.2 mOhms
20 V
2 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1:
$5.56
1,460 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,460 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
100 A
7.2 mOhms
20 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel