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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R360P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.37
-
4,768En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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4,768En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R185C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.04
-
2,280En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,280En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.24
-
4,655En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R600PFD7AT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
4,655En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.71
-
4,850En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,850En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN70R360P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.01
-
1,649En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,649En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
- IPL65R195C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.16
-
2,671En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R195C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
|
|
2,671En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
- IPL65R230C7
- Infineon Technologies
-
1:
$3.56
-
6,299En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R230C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
6,299En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4
- IPL65R130C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.09
-
2,981En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R130C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4
|
|
2,981En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
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Controladores de conmutación MEDIUM POWER IC
- XDPS2201XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.46
-
4,935En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-XDPS2201XUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Controladores de conmutación MEDIUM POWER IC
|
|
4,935En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPL60R365P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.75
-
949En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
949En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
Infineon Technologies ESD134B1W0201E6327XTSA1
- ESD134B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.28
-
40,969En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD134B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
40,969En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
- BSC098N10NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.28
-
22,124En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC098N10NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
|
|
22,124En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
:
5,000
|
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|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD131B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.28
-
711,750En existencias
-
405,000Se espera el 26/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD131B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
711,750En existencias
405,000Se espera el 26/10/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.05
-
32,709En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
32,709En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.54
-
3,496En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0PFD7SAU
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,496En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- BSC160N15NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.24
-
2,217En existencias
-
30,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC160N15NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
2,217En existencias
30,000En pedido
Existencias:
2,217 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 18/03/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
5,000
|
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD150B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.21
-
84,356En existencias
-
195,000Se espera el 26/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-D150B1W0201E6327
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
84,356En existencias
195,000Se espera el 26/10/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
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|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD239B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.24
-
199,532En existencias
-
240,000Se espera el 11/01/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD239B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
199,532En existencias
240,000Se espera el 11/01/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
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|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD245B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.18
-
86,495En existencias
-
90,000Se espera el 5/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD245B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
86,495En existencias
90,000Se espera el 5/11/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD246B1W01005E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.15
-
88,835En existencias
-
60,000Se espera el 29/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD246B1W01005E6
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
88,835En existencias
60,000Se espera el 29/10/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R180P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.20
-
4,554En existencias
-
17,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,554En existencias
17,500En pedido
Existencias:
4,554 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 4/03/2027
7,500 Se espera el 1/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R900P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.01
-
7,426En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
7,426En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R125P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.14
-
7,561En existencias
-
3,000Se espera el 10/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
7,561En existencias
3,000Se espera el 10/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R185P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.29
-
3,667En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3,667En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R285P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.10
-
3,752En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3,752En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
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