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MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET 750V G2
- AIMBG75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$19.29
-
15En existencias
-
1,000Se espera el 19/11/2026
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG75R020M2HXT
Nuevo producto
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Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET 750V G2
|
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15En existencias
1,000Se espera el 19/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMBG120R080M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.33
-
1,973En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R080M1X1
|
Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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1,973En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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Módulos de semiconductores discretos MEDIUM POWER 62MM
- FF2MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$352.72
-
32En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-FF2MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos MEDIUM POWER 62MM
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32En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDL10G65C5XUMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$4.50
-
8,081En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IDL10G65C5XUMA2
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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8,081En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDDD10G65C6XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.01
-
6,691En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
726-IDDD10G65C6XTMA1
NRND
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Infineon Technologies
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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6,691En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,700
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDDD20G65C6XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.23
-
6,413En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
726-IDDD20G65C6XTMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
6,413En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,700
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Infineon EasyPIM 2B CoolSiC MOSFET module 1200 V
- FP17MR12W2M1HB31BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$146.53
-
11En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-R12W2M1HB31BPSA1
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Infineon EasyPIM 2B CoolSiC MOSFET module 1200 V
|
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11En existencias
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDK06G65C5XTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$3.55
-
4,427En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IDK06G65C5XTMA2
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
4,427En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDDD08G65C6XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.86
-
70En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDDD08G65C6XTMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
70En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,700
|
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDH10SG60CXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$6.65
-
567En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDH10SG60CXKSA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
567En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.23
-
1,000En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R163M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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|
1,000En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$35.87
-
183En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-W120R035M1HXKSA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
|
|
183En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
- IJCQ120RM61J1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$33.91
-
66En existencias
-
750En pedido
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IJCQ120RM61J1XTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
|
|
66En existencias
750En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$38.55
-
629En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA75R007M2HXKS
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
|
|
629En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$21.96
-
710En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIMW120R045M1XKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
|
|
710En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDD06SG60CXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$4.48
-
1,686En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDD06SG60CXTMA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
1,686En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R060M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.42
-
303En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R060M1HXT
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
303En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.40
-
1,995En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,995En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R072M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.96
-
12,072En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-MT65R072M1HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
12,072En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
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|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R090M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.00
-
825En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R090M1HXT
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
825En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
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|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R220M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.66
-
2,459En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R220M1HXT
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
2,459En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDH12SG60CXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$7.55
-
2,187En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDH12SG60CXKSA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
2,187En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDD10SG60CXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$6.58
-
2,685En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDD10SG60CXTMA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
2,685En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R045M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.87
-
617En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R045M1HXT
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
617En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$18.22
-
143En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
143En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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