Transistores de radiofrecuencia

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 120
Mult.: 120
: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B2-3 Si 1.47 GHz 180 W + 200 C 17.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 2.7 GHz 15 W + 200 C 19 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 2.7 GHz 25 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 160
Mult.: 160
: 160

RF MOSFET Transistors SMD/SMT A2-3 Si 3.6 GHz 40 W + 200 C 14 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

RF MOSFET Transistors Through Hole LBB-4 Si 945 MHz 150 W + 200 C 16 dB Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 150 MHz 175 W - 65 C + 150 C 21.3 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 200 MHz 350 W - 65 C + 150 C 29 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 250 MHz 150 W + 150 C 14.8 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 100 MHz 300 W + 150 C 24 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount M246 Si 60 W - 65 C + 200 C Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 4 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 4 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 120
Mult.: 120
: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 945 MHz 250 W + 200 C 13.4 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MM-2 Si 930 MHz 12 W + 200 C 21 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz + 200 C Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC-244B Si 250 MHz 580 W - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs Screw Mount Si 30 MHz - 55 C + 175 C
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1
RF MOSFETs Screw Mount Si + 200 C 17 dB
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1
RF MOSFETs Screw Mount Si + 200 C 17 dB
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-Narrow-8 Bipolar Power Si 900 MHz - 40 C + 85 C Reel
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-8 Bipolar Power Si 900 MHz - 40 C + 85 C Reel
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT-343-4 Si 520 MHz 200 mW 13 dB Reel