|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57030-E
- STMicroelectronics
-
1:
$49.87
-
511En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
511En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
|
Si
|
1 GHz
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
14 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-10W
- STMicroelectronics
-
1:
$93.64
-
719En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
719En existencias
|
|
|
$93.64
|
|
|
$74.39
|
|
|
$71.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M174
|
|
Si
|
230 MHz
|
150 W
|
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
- SD4933MR
- STMicroelectronics
-
1:
$165.65
-
106En existencias
-
150Se espera el 11/02/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
|
|
106En existencias
150Se espera el 11/02/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M177MR-5
|
|
Si
|
100 MHz
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
24 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF136
- MACOM
-
1:
$100.13
-
613En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF136
N.º de artículo de Mouser
937-MRF136
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
613En existencias
|
|
|
$100.13
|
|
|
$83.29
|
|
|
$75.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
211-07-3
|
|
Si
|
400 MHz
|
15 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
16 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
- MRF137
- MACOM
-
1:
$112.57
-
234En existencias
-
200Se espera el 16/02/2027
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF137
N.º de artículo de Mouser
937-MRF137
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
|
|
234En existencias
200Se espera el 16/02/2027
|
|
|
$112.57
|
|
|
$93.64
|
|
|
$85.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
211-07-3
|
|
Si
|
400 MHz
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
- MRF141G
- MACOM
-
1:
$585.91
-
40En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF141G
N.º de artículo de Mouser
937-MRF141G
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
|
|
40En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
375-04
|
|
Si
|
175 MHz
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
12 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
- MRF448
- MACOM
-
1:
$288.76
-
262En existencias
-
120Se espera el 16/10/2026
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF448
N.º de artículo de Mouser
937-MRF448
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
|
|
262En existencias
120Se espera el 16/10/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Screw Mount
|
211-11
|
Bipolar Power
|
Si
|
30 MHz
|
250 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
- ART2K0FESU
- Ampleon
-
1:
$277.79
-
430En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0FESU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
|
|
430En existencias
|
|
|
$277.79
|
|
|
$231.22
|
|
|
$226.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT539BN-5
|
|
LDMOS
|
1 MHz to 400 MHz
|
2 kW
|
|
+ 225 C
|
28.4 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART35FE/SOT467C/TRAY
- ART35FEU
- Ampleon
-
1:
$92.69
-
226En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART35FEU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART35FE/SOT467C/TRAY
|
|
226En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
SOT467C-3
|
|
LDMOS
|
1 MHz to 650 MHz
|
35 W
|
|
+ 225 C
|
31 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FH/SOT1214/TRAY
- ART700FHU
- Ampleon
-
1:
$211.35
-
87En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART700FHU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FH/SOT1214/TRAY
|
|
87En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
SOT1214A-5
|
|
LDMOS
|
1 MHz to 450 MHz
|
700 W
|
|
+ 225 C
|
28.6 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G2327N71DYZ
- Ampleon
-
1:
$69.71
-
303En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-B11G2327N71DYZ
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
|
|
303En existencias
|
|
|
$69.71
|
|
|
$57.75
|
|
|
$54.84
|
|
|
$54.54
|
|
|
$51.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
300
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
QFN-36
|
|
LDMOS
|
2.3 GHz to 2.7 GHz
|
49.5 dBm
|
|
+ 200 C
|
33.5 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
- BLA9H0912L-1200PU
- Ampleon
-
1:
$637.67
-
80En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-1200PU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
|
|
80En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
SOT539A-5
|
|
LDMOS
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
1.2 kW
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
- BLC2425M10LS500PZ
- Ampleon
-
1:
$226.56
-
105En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS500PZ
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
|
|
105En existencias
|
|
|
$226.56
|
|
|
$187.39
|
|
|
$182.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1250-1-5
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
500 W
|
|
+ 225 C
|
14.5 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY
- BLF647P,112
- Ampleon
-
1:
$226.91
-
183En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF647P112
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY
|
|
183En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-1121A-5
|
|
LDMOS
|
1.5 GHz
|
200 W
|
|
+ 225 C
|
18 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY
- BLF974PU
- Ampleon
-
1:
$224.18
-
133En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF974PU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY
|
|
133En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
SOT539A-5
|
|
LDMOS
|
700 MHz
|
500 W
|
|
+ 225 C
|
25.7 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
- BLL9G1214L-600U
- Ampleon
-
1:
$299.85
-
115En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLL9G1214L-600U
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
|
|
115En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
SOT502A-3
|
|
LDMOS
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
600 W
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
- BLS9G2731L-400U
- Ampleon
-
Disponibilidad restringida
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2731L-400U
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
|
|
|
|
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
SOT502A-3
|
|
LDMOS
|
2.7 GHz to 3.1 GHz
|
400 W
|
|
+ 225 C
|
13 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF Transistor
- BFR 360L3 E6765
- Infineon Technologies
-
1:
$1.13
-
24,591En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-BFR360L3E6765
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF Transistor
|
|
24,591En existencias
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.788
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.308
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.124
|
|
|
$0.227
|
|
|
$0.202
|
|
|
$0.174
|
|
|
$0.152
|
|
|
$0.124
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
TSLP
|
Bipolar
|
Si
|
14 GHz
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
- BFP405H6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.48
-
30,551En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-BFP405H6327XTSA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
|
|
30,551En existencias
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.304
|
|
|
$0.245
|
|
|
$0.233
|
|
|
$0.211
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.224
|
|
|
$0.206
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-343-4
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$44.45
-
790En existencias
-
2,000Se espera el 11/08/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
790En existencias
2,000Se espera el 11/08/2026
|
|
|
$44.45
|
|
|
$36.32
|
|
|
$35.40
|
|
|
$31.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
Si
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
21.1 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$88.10
-
434En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
434En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
Si
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
330 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
20.4 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$353.13
-
50En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
|
|
50En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
|
Si
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
24.4 dB
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
- AFM907NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$6.55
-
12,720En existencias
-
4,280Se espera el 11/08/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
|
|
12,720En existencias
4,280Se espera el 11/08/2026
|
|
|
$6.55
|
|
|
$4.29
|
|
|
$3.64
|
|
|
$3.38
|
|
|
$2.68
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.97
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
DFN-16
|
|
Si
|
136 MHz to 941 MHz
|
8 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$45.56
-
522En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
|
|
522En existencias
|
|
|
$45.56
|
|
|
$37.07
|
|
|
$34.79
|
|
|
$34.32
|
|
|
Ver
|
|
|
$30.85
|
|
|
$32.55
|
|
|
$32.20
|
|
|
$30.85
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
TO-270-WB-4
|
|
Si
|
136 MHz to 520 MHz
|
70 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
18.5 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$5.40
-
19,701En existencias
-
11,000En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
19,701En existencias
11,000En pedido
|
|
|
$5.40
|
|
|
$3.52
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.92
|
|
|
$2.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
|
Si
|
136 MHz to 941 MHz
|
4.9 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
20.9 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|