|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ768ELP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.06
-
2,289En existencias
-
3,000Se espera el 10/08/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ768ELP-T1_GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2,289En existencias
3,000Se espera el 10/08/2026
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.851
|
|
|
$0.675
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.514
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
- VS-SC200FA120
- Vishay
-
1:
$65.29
-
158En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-SC200FA120
|
Vishay
|
Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
|
|
158En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
- MBR1060DC-AU_R2_006A1
- Panjit
-
1:
$1.18
-
6,227En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-MBR1060DCAUR26A1
|
Panjit
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
|
|
6,227En existencias
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.738
|
|
|
$0.484
|
|
|
$0.378
|
|
|
$0.378
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
- FF600R12KE7EHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$177.99
-
26En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12KE7EHPSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
|
|
26En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
- FF200R17KE4HOSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$142.29
-
13En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF200R17KE4HOSA1
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
|
|
13En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
- NSVT5551DW1T1G
- onsemi
-
1:
$1.08
-
2,774En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-NSVT5551DW1T1G
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
|
|
2,774En existencias
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.667
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.238
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
$3.15
-
20,602En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20,602En existencias
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.93
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
- DD600N16KXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$372.42
-
13En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-DD600N16KXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
|
|
13En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
- FDMS86300DC
- onsemi
-
1:
$4.07
-
35,437En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86300DC
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
|
|
35,437En existencias
|
|
|
$4.07
|
|
|
$2.60
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 420
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
- SI4228DY-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.47
-
51,167En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI4228DY-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
|
|
51,167En existencias
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.927
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.389
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.437
|
|
|
$0.358
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
- SQ4961EY-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.34
-
25,283En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4961EY-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
|
|
25,283En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.811
|
|
|
$0.716
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.745
|
|
|
$0.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,533En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,533En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.347
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.332
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
- DMG1016V-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.52
-
252,567En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
|
|
252,567En existencias
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.273
|
|
|
$0.186
|
|
|
$0.149
|
|
|
$0.134
|
|
|
$0.134
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,290
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
- SCS240KE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$23.68
-
1,258En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS240KE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
|
|
1,258En existencias
|
|
|
$23.68
|
|
|
$16.97
|
|
|
$14.88
|
|
|
$14.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQJQ910EL-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$3.61
-
43,407En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
43,407En existencias
|
|
|
$3.61
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
- 1SS302A,LF
- Toshiba
-
1:
$0.22
-
609,265En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS302ALF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
|
|
609,265En existencias
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.133
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.071
|
|
|
$0.046
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.062
|
|
|
$0.045
|
|
|
$0.04
|
|
|
$0.033
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
- SSM6L14FE(TE85L,F)
- Toshiba
-
1:
$0.50
-
243,536En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L14FETE85LF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
|
|
243,536En existencias
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.194
|
|
|
$0.146
|
|
|
$0.095
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.117
|
|
|
$0.085
|
|
|
$0.079
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
- PMD2001D,115
- Nexperia
-
1:
$0.22
-
186,158En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMD2001D115
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
|
|
186,158En existencias
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.132
|
|
|
$0.104
|
|
|
$0.098
|
|
|
$0.087
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.094
|
|
|
$0.084
|
|
|
$0.081
|
|
|
$0.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
- PMP4201Y,135
- Nexperia
-
1:
$0.66
-
286,240En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y135
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
|
|
286,240En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.261
|
|
|
$0.198
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.129
|
|
|
$0.16
|
|
|
$0.141
|
|
|
$0.129
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
- SIA907EDJT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.91
-
110,643En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIA907EDJT-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
|
|
110,643En existencias
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.815
|
|
|
$0.644
|
|
|
$0.554
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.589
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.514
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQ1922EEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
301,813En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
301,813En existencias
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.206
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.241
|
|
|
$0.189
|
|
|
$0.172
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
- SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.22
-
71,040En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
|
|
71,040En existencias
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.41
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.77
|
|
|
$0.645
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.697
|
|
|
$0.613
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
- SQJ980AEP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.98
-
28,794En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
|
|
28,794En existencias
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.848
|
|
|
$0.671
|
|
|
$0.583
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.56
|
|
|
$0.541
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
- XP3832CMT
- YAGEO XSemi
-
1:
$1.99
-
2,997En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
603-XP3832CMT
|
YAGEO XSemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
|
|
2,997En existencias
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.853
|
|
|
$0.675
|
|
|
$0.545
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.618
|
|
|
$0.509
|
|
|
$0.476
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
- NCP51560BBDWR2G
- onsemi
-
1:
$3.78
-
1,220En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NCP51560BBDWR2G
|
onsemi
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
|
|
1,220En existencias
|
|
|
$3.78
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.62
|
|
|
$2.36
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.10
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.22
|
|
|
$2.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|