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BSP171PH6327XTSA1

Name: Infineon BSP171PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSP171PH6327XTSA
Price: 1.22 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSP171PH6327XTSA

Fabricante N.º:

BSP171PH6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

Hoja de datos:

BSP171PH6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.22	$1.22
	$0.765	$7.65
	$0.503	$50.30
	$0.39	$195.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$0.352	$352.00
	$0.306	$612.00
	$0.278	$1,390.00
	$0.276	$2,760.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

SP001058824

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.18

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-223-4
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	300 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	13 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.8 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	87 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	BSP171
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	208 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns
Alias de las piezas n.º:	BSP171P H6327 SP001058824
Peso de la unidad:	120 mg

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Models

Other

Packaging:PG-SOT223-4-21 | BSP171PH6327XTSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

SimulationModel OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 60V P-Channel (Cierre)

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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