IPD70P04P4L-08

726-IPD70P04P4L-08
IPD70P04P4L-08

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V -70A DPAK-2 OptiMOS-P2

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:

Reemplazo posible

Infineon Technologies IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:
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RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
70 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
71 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: MY
País de difusión: AT
País de origen: AT
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: OptiMOS-P2
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Alias de las piezas n.º: IPD7P4P4L8XT SP000840206 IPD70P04P4L08ATMA1
Peso de la unidad: 330 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99