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MCTL295N06Y-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCTL295N06Y-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCTL295N06Y-TP
Price: 5.75 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MCTL295N06Y-TP

Fabricante N.º:

MCTL295N06Y-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch FET

Hoja de datos:

MCTL295N06Y-TP Hoja de datos (PDF)

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$2.19	$4,380.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TOLL-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	295 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	108 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	313 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	105 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	69 ns
Serie:	MCTL295N06Y
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	172 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MCTL High-Power N-Channel MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) MCTL High-Power N-Channel MOSFETs are designed based on the Split-Gate Trench (SGT) technology and are 30% smaller than traditional D-PAK 7-pin options. These MOSFETs withstand currents up to 300A and reduce the need for parallel MOSFETs in high-current applications. The MCTL MOSFETs offer excellent EMI performance, high-power density, high reliability, high voltage, and high-density cell design for low R_DS(ON). Typical applications include load switches, welding equipment, PV/solar inverters, DC-DC converters, telecom devices, network security appliances, telecommunications test equipment, and industrial power supplies.