Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Q_rr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Q_rr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

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Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA24N65EF-E3
Vishay / Siliconix
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SIHA24N65EF-E3

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78-SIHA24N65EF-E3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

24 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB33N60EFT1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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EF High Voltage Power MOSFETs

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