Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
TK20V60W5,LVQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
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Si
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757-TK8P65WRQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ
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Si
SMD/SMT
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
2,495 En existencias
1
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Si
SMD/SMT
DFN8x8-5
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DTMOSIV
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 40mohm
TK040N60Z1,S1F
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N.º de artículo de Mouser
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Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 40mohm
510 En existencias
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Si
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Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 80mohm
TK080N60Z1,S1F
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-TK080N60Z1S1F
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 80mohm
149 En existencias
1
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Si
Through Hole
TO-247-3
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600 V
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Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 125mohm
TK125N60Z1,S1F
Toshiba
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Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
757-TK125N60Z1S1F
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 125mohm
145 En existencias
1
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
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20 A
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Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
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TK39N60W5,S1VF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-TK39N60W5S1VF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
4,415 En existencias
1
$7.28
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
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- 30 V, 30 V
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DTMOSIV
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
TK100L60W,VQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-TK100L60WVQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
74 En existencias
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Detalles
Si
Through Hole
TO-3PL-3
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DTMOSIV
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
TK14G65W,RQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-TK14G65WRQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
1,288 En existencias
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Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
TK31V60W5,LVQ
Toshiba
1:
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2,250 Se espera el 10/02/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60W5LVQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
1,587 En existencias
2,250 Se espera el 10/02/2026
1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DFN8x8-5
N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
TK10A60W5,S5VX
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60W5S5VX
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
257 En existencias
1
$2.68
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Ver
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Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9.7 A
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DTMOSIV
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
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Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60WS4VX
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
79 En existencias
1
$1.84
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Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9.7 A
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- 30 V, 30 V
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DTMOSIV
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
TK10A80W,S4X
Toshiba
1:
$4.24
188 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK10A80WS4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
188 En existencias
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$4.24
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Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
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- 55 C
+ 150 C
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DTMOSIV
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
TK10E60W,S1VX
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-TK10E60WS1VX
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9.7 A
380 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
100 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube