Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

Resultados: 103
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V DFN POWER CLIP 3X3 559En existencias
3,000Se espera el 20/09/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 610
: 3,000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel 365En existencias
1,500Se espera el 23/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 12En existencias
4,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 68 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 591En existencias
3,000Se espera el 1/11/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 41 A 13.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 2,969En existencias
1,500Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 4,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS 322En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS 3En existencias
3,000Se espera el 27/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 25 A 25.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS 10En existencias
1,500Se espera el 18/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 25 A 25.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 2,144En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.8MOHM T8 SINGLE S08FL 880En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI 260En existencias
1,500Se espera el 13/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 68En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 442En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET 452En existencias
1,500Se espera el 29/03/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 463En existencias
4,500Se espera el 17/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 57 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U 1,419En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U 2,020En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 1,678En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 1,416En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 2,781En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 5En existencias
1,500Se espera el 7/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL 821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL 1,183En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape