Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ116EP-T1_GE3
Vishay
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

100 V

37 A

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20 V

2.5 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ131ELP-T1_GE3
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SO-8L-4

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1 Channel

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2.5 V

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500 W

Enhancement

TrenchFET

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SQJ140EP-T1_GE3
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Enhancement

TrenchFET

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SQJ158EP-T1_GE3
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQJ464EP-T1_GE3
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32 A

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45 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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32 A

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TrenchFET

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SQJ410EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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32 A

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1.5 V

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83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ850EP-T2_GE3
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60 V

24 A

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45 W

Enhancement

TrenchFET

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SQJ431EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

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12 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ190ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19.6 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.00
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SQJ444EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.6 mOhms

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1.5 V

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P CH 40V (D-S)

SQJ500AEP-T1_BE3
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

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48 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ500AEP-T1_GE3

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

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2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

58 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ940EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

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13.3 mOhms, 5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC, 48 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ128ELP-T1_GE3
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N-Channel

1 Channel

30 V

437 A

1.158 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

99 nC

- 55 C

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500 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ140ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

40 V

253 A

2.14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

255 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

SQJ401EP-T1_GE3
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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

32 A

5 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ147ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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- 20 V, 20 V

2.5 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

183 W

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9.5 A, 15 A

45 mOhms, 146 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9 nC, 12 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 27 W

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1.5 V

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30 V

30 A

7 mOhms

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SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
9.5 A, 15 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W