Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 359

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET R8002ANX ROHM Semiconductor Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante R8002ANX N.º de artículo de Mouser 755-R8002ANX NRND	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Cotización	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	800 V	2 A	4.3 Ohms	- 30 V, 30 V	5 V	12.7 nC	- 55 C	+ 150 C	36 W	Enhancement	Bulk
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET R8008ANX ROHM Semiconductor Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante R8008ANX N.º de artículo de Mouser 755-R8008ANX NRND	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Cotización	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	1.03 Ohms	- 30 V, 30 V	5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	66 W	Enhancement	Bulk
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET R8010ANX ROHM Semiconductor Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante R8010ANX N.º de artículo de Mouser 755-R8010ANX NRND	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm silicon power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas	Cotización	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	560 mOhms	- 30 V, 30 V	5 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5V DRIVE MOSFET PCH RAL045P01TCR ROHM Semiconductor Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante RAL045P01TCR N.º de artículo de Mouser 755-RAL045P01TCR NRND	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5V DRIVE MOSFET PCH Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm silicon power mosfets		Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Cotización	Si	SMD/SMT	SOT-363-6	P-Channel	1 Channel	12 V	4.5 A	22 mOhms			40 nC			1 W		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 33A Power MOSFET RCJ330N25TL ROHM Semiconductor Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante RCJ330N25TL N.º de artículo de Mouser 755-RCJ330N25TL NRND	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 33A Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm silicon power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Cotización	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	250 V	33 A	105 mOhms	- 30 V, 30 V	5 V	80 nC	- 55 C	+ 150 C	211 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 80A(Id), (4.5V Drive) RJ1G08CGNTLL ROHM Semiconductor Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante RJ1G08CGNTLL N.º de artículo de Mouser 755-RJ1G08CGNTLL NRND	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 80A(Id), (4.5V Drive)	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Cotización	Si	SMD/SMT	TO-263AB-3	N-Channel	1 Channel	40 V	80 A	5.6 mOhms	- 20 V, 20 V	2.5 V	31.1 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Middle Power MOSFET Series (Single Type), halogen free and external plating Sn100% RRH090P03GZETB ROHM Semiconductor Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante RRH090P03GZETB N.º de artículo de Mouser 755-RRH090P03GZETB NRND	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Middle Power MOSFET Series (Single Type), halogen free and external plating Sn100%	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Cotización	Si	SMD/SMT	SOP-8	P-Channel	1 Channel	30 V	9 A	15.4 mOhms	- 20 V, 20 V	1 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET RS1E300GNTB ROHM Semiconductor Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante RS1E300GNTB N.º de artículo de Mouser 755-RS1E300GNTB NRND	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Cotización	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	1 Channel	30 V	30 A	2.2 mOhms	- 20 V, 20 V	2.5 V	39.8 nC	- 55 C	+ 150 C	3 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET RS1E320GNTB ROHM Semiconductor Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante RS1E320GNTB N.º de artículo de Mouser 755-RS1E320GNTB NRND	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Cotización	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	1 Channel	30 V	32 A	1.9 mOhms	- 20 V, 20 V	2.5 V	42.8 nC	- 55 C	+ 150 C	3 W		Reel