Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N65C3
Infineon Technologies
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NRND

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SPW47N65C3

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726-SPW47N65C3

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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$14.59

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.36
2,811En existencias
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SPD04N60C3ATMA1

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726-SPD04N60C3ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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$1.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3
Infineon Technologies
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SPW35N60C3

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726-SPW35N60C3

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
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SPB21N50C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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1,443En existencias
2,400Se espera el 2/07/2026
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2,400Se espera el 2/07/2026

$13.86

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$7.28

$7.05

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Infineon Technologies
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SPA11N60C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.67
2,538En existencias
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SPD08N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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2,538En existencias

Cinta cortada

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
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Fin de vida útil

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SPP07N60C3XKSA1

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Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

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220En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA15N60C3
Infineon Technologies
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569En existencias
Fin de vida útil

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SPA15N60C3

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726-SPA15N60C3

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

569En existencias

$4.29

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1 Channel

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.76
533En existencias
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SPP11N60C3XKSA1

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726-SPP11N60C3XKSA1

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$3.76

$2.14

$1.70

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1 Channel

600 V

11 A

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3 V

45 nC

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+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.76
466En existencias
1,000Se espera el 3/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60C3XKSA1

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726-SPP20N60C3XKSA1

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$4.76

$2.64

$2.17

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$1.68

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1 Channel

600 V

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208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPW16N50C3
Infineon Technologies
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335En existencias

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SPW16N50C3

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726-SPW16N50C3

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335En existencias

$5.13

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1 Channel

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160 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA07N60C3
Infineon Technologies
1: $3.25
84En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA07N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA07N60C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

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84En existencias

$3.25

$2.37

$1.72

$1.54

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

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7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

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CoolMOS

Tube

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SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.34
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Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPP24N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP24N60C3XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

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191En existencias

$5.34

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1 Channel

600 V

24.3 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

104.9 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: $4.43
43En existencias
1,000Se espera el 15/10/2026
NRND

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SPB11N60C3

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726-SPB11N60C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

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MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SPD07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.99
878En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPD07N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

878En existencias

Cinta cortada

$2.99

$1.94

$1.34

$1.13

$1.12

Envase tipo carrete

$1.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

SPW32N50C3
Infineon Technologies
1: $9.53
720Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SPW32N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

720Se espera el 16/07/2026

$9.53

$5.59

$4.72

$4.71

$4.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

32 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

284 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N65C3
Infineon Technologies
1: $3.29
Plazo de entrega 11 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

Plazo de entrega 11 Semanas

$3.29

$1.65

$1.48

$1.17

$1.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.29
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPI21N50C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPI21N50C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$4.29

$2.20

$2.00

$1.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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