30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12VIN / 1V to 3VOUT DC-DC synchronous buck converter applications. 

Resultados: 31
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 23,715En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 55 V 5.1 A 65 mOhms, 65 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 12,354En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 25 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 8,424En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl 814,618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.2 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2 6,104En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 15 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg 12,806En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 3.04 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 44 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg 1,875En existencias
4,000Se espera el 9/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 260 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 86 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HEXFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC 4,992En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 161 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 4,602En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 50 V 3 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 1,677En existencias
20,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 55 V 4.7 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V 6,999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 8.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 8.1 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC 19,458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A 6,707En existencias
16,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 3.5 A, 4.7 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A 12,217En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 4.9 A 76 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A 10,607En existencias
12,000Se espera el 20/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A 5,269En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A, 7.3 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC 4,315En existencias
20,000Se espera el 17/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 61 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC 16,015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.32 V 34 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg 7,100En existencias
32,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A 11,181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 9.1 A, 11 A 17.1 mOhms, 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 6.7 nC, 14 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg 4,144En existencias
4,000Se espera el 9/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg 32,274En existencias
52,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg 129,860En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 15,457En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V 418En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT DSO-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 8.1 A, 8.4 A 22 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 8.9 nC, 7.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape