Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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Resultados: 25

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
1: $3.96
23,603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260MPBF

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942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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$3.96

$2.22

$1.64

$1.41

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $7.60
11,603En existencias
3,420Se espera el 3/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4668PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4668PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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11,603En existencias

3,420Se espera el 3/08/2026

$7.60

$5.09

$4.09

$3.62

$3.25

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

200 V

130 A

9.7 mOhms

- 30 V, 30 V

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+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4768PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $7.70
1,031En existencias

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IRFP4768PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4768PBFXKMA1

Infineon Technologies

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$7.70

$5.16

$4.15

$3.68

$3.30

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Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

93 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4127PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $4.09
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IRFB4127PBFXKMA1

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726-IRFB4127PBFXKMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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$4.09

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$2.30

$2.08

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20 mOhms

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69 nC

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
1: $5.79
9,119En existencias

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IRFS4127TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4127TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

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Cinta cortada

$5.79

$3.79

$2.82

$2.37

Envase tipo carrete

$2.19

$2.06

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

200 V

72 A

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1.8 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
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7,200Se espera el 8/07/2027

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IRFS4227TRLPBF

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942-IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

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7,200Se espera el 8/07/2027

Cinta cortada

$4.77

$3.13

$2.33

$1.95

Envase tipo carrete

$1.81

$1.70

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

62 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

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+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $4.59
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1,000Se espera el 30/07/2026

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IRFB4229PBFXKMA1

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726-IRFB4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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1,000Se espera el 30/07/2026

$4.59

$3.01

$2.25

$1.94

$1.64

Min.: 1
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Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

250 V

46 A

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- 30 V, 30 V

5 V

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- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250MPBF
Infineon Technologies
1: $3.51
3,155En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250MPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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$3.51

$2.28

$1.60

$1.34

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1 Channel

200 V

30 A

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- 20 V, 20 V

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82 nC

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+ 175 C

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
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IRF5801TRPBF

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942-IRF5801TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

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$0.86

$0.534

$0.343

$0.261

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$0.199

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MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

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1 Channel

200 V

600 mA

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

3.9 nC

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+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NPBF
Infineon Technologies
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32,178En existencias
10,500Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NPBF

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942-IRF640NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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32,178En existencias

10,500Se espera el 17/07/2026

$2.20

$1.38

$0.909

$0.721

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
1: $2.41
3,052En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7820TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7820TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

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Cinta cortada

$2.41

$1.38

$0.986

$0.855

Envase tipo carrete

$0.661

$0.625

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

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1 Channel

200 V

3.7 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

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+ 150 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFB38N20DPBF
Infineon Technologies
1: $4.10
5,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB38N20DPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB38N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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5,426En existencias

$4.10

$2.68

$1.95

$1.63

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250NPBF
Infineon Technologies
1: $4.59
6,254En existencias
9,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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6,254En existencias

9,200En pedido

$4.59

$3.00

$2.24

$1.88

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260NPBF
Infineon Technologies
1: $5.61
2,874En existencias
2,400Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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2,874En existencias

2,400Se espera el 20/08/2026

$5.61

$3.42

$2.74

$2.32

$2.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
1: $5.08
3,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4229TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

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3,005En existencias

Cinta cortada

$5.08

$3.32

$2.48

$2.08

Envase tipo carrete

$1.92

$1.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

48 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: $3.52
3,850En existencias
20,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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3,850En existencias

20,800En pedido

Cinta cortada

$3.52

$2.29

$1.61

$1.18

Envase tipo carrete

$1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

77.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $3.63
913En existencias
5,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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913En existencias

5,000Se espera el 27/07/2026

$3.63

$2.36

$1.65

$1.39

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Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $6.64
384En existencias
800Se espera el 3/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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384En existencias

800Se espera el 3/08/2026

$6.64

$4.35

$3.21

$2.84

$2.55

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $6.27
61En existencias
400Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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61En existencias

400Se espera el 27/07/2026

$6.27

$4.11

$3.03

$2.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

44 A

46 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
1: $2.15
586En existencias
38,400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NSTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF640NSTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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Hoja de datos

586En existencias

38,400En pedido

Cinta cortada

$2.15

$1.36

$0.918

$0.599

Envase tipo carrete

$0.599

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

IRFB4020PBF
Infineon Technologies
1: $2.63
1,252En existencias
8,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4020PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB4020PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

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1,252En existencias

8,000En pedido

$2.63

$1.68

$1.14

$0.974

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: $2.84
1,287En existencias
23,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFR4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

1,287En existencias

23,800En pedido

Cinta cortada

$2.84

$1.82

$1.24

$1.06

$0.93

Envase tipo carrete

$0.846

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
1: $4.63
153En existencias
1,600Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS38N20DTRLP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS38N20DTRLP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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Hoja de datos

153En existencias

1,600Se espera el 17/07/2026

Cinta cortada

$4.63

$3.04

$2.27

$1.90

Envase tipo carrete

$1.75

$1.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

IRF630NPBF
Infineon Technologies
1: $2.11
395En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRF630NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF630NPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

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Hoja de datos

395En existencias

$2.11

$1.07

$0.895

$0.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

9.3 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies
1,000: $0.99
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4620PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4620PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

$0.99

$0.964

$0.94

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

200 V

25 A

72.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Tube

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

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