HSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 22
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -20A 47mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
3,928En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 P-Channel 1 Channel 60 V 20 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 34 nC + 175 C 57 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 23A 27mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
2,460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 23 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Hoja de datos
2,500En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 10.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 19 nC + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-CH
Hoja de datos
2,445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
2,500En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 30A 8mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
2,166En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 27 nC + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
2,495En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 34 nC + 175 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 50A 4.8mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
2,380En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC + 175 C 97 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -30V -50A 8.4mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
2,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 75A 4.8mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
2,345En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 77 nC + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -30V -75A 6.2mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
1,914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 P-Channel 1 Channel 30 V 75 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 94 nC + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 75A 3.3mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
2,412En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 58 nC + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -75A 9.7mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
2,500Se espera el 15/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 P-Channel 1 Channel 40 V 75 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 16A 39mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 39 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC + 175 C 25 W Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 30A 14mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 33A 14mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 33 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 52 nC + 175 C 97 W Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 35A 10mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC + 175 C 77 W Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 35A 6.7mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 55 V 35 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC + 175 C 97 W Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 75A 5.5mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 64 nC + 175 C 120 W Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 75A 4.8mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 77 nC + 175 C 138 W Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 75A 4.5mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 1 Channel 55 V 75 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 55 nC + 175 C 138 W Enhancement Reel
Renesas Electronics RBK04U04GNS-0000#HBH
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 35A 1.5mohm SON-8 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT HSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 35 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 111 nC + 150 C 83 W Enhancement Reel