Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
790En existencias
2,860En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227B-4 N-Channel 40 V 600 A 1.3 mOhms - 20 V, + 20 V 3.5 V - 55 C + 175 C 940 W IXTN600N04 Tube
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
308En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 55 V 550 A 1.3 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 940 W IXTN550N055 Tube
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
598Se espera el 24/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 150 V 310 A 4 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 1.07 mW IXFN360N15 Tube
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
562En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 75 V 480 A 1.9 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 940 W IXFN520N075 Tube
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 830 W IXFN240N15 Tube
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 170 V 260 A 5.2 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 1.07 kW IXFN320N17 Tube