Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
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IPP041N12N3 G

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726-IPP041N12N3GXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

IPP034NE7N3 G
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3

IPA057N08N3 G
Infineon Technologies
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IPA057N08N3 G

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726-IPA057N08N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3

IPA086N10N3 G
Infineon Technologies
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IPA086N10N3 G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
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IPB039N10N3 G

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726-IPB039N10N3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
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568En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPB200N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

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$7.51

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.80
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IPA040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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446En existencias

$2.80

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1 Channel

60 V

69 A

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Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3

IPA045N10N3 G
Infineon Technologies
1: $3.31
374En existencias
1,500Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA045N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPA045N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3

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374En existencias

1,500Se espera el 3/09/2026

$3.31

$1.67

$1.51

$1.25

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TO-220-3

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100 V

64 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

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- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.63
199En existencias
500Se espera el 18/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA060N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA060N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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199En existencias

500Se espera el 18/06/2026

$2.63

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$0.799

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TO-220-3

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60 V

45 A

6.7 mOhms

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2.8 V

32 nC

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+ 175 C

33 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3

IPA032N06N3 G
Infineon Technologies
1: $4.00
391En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA032N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPA032N06N3G

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

391En existencias

$4.00

$2.61

$2.04

$1.48

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC077N12NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.56
7,669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC077N12NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC077N12NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3

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7,669En existencias

Cinta cortada

$3.56

$2.32

$1.78

$1.52

Envase tipo carrete

$1.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

98 A

6.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC320N20NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.23
5,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC320N20NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC320N20NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

5,782En existencias

Cinta cortada

$3.23

$2.09

$1.49

$1.25

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Envase tipo carrete

$1.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

36 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC600N25NS3 G
Infineon Technologies
1: $4.29
3,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC600N25NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

3,780En existencias

Cinta cortada

$4.29

$2.79

$2.19

$1.83

Ver

Envase tipo carrete

$1.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

250 V

25 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $1.98
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N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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