|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
- SIHG075N65E-GE3
- Vishay
-
1:
$6.37
-
417En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG075N65E-GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
|
|
417En existencias
|
|
|
$6.37
|
|
|
$4.88
|
|
|
$4.03
|
|
|
$3.41
|
|
|
$3.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247AC-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
40 A
|
65 mOhms
|
30 V
|
5 V
|
132 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
- SISS26LDN-T1-BE3
- Vishay
-
1:
$1.71
-
2,693En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
78-SISS26LDN-T1-BE3
Nuevo en Mouser
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
|
|
2,693En existencias
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.722
|
|
|
$0.592
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.536
|
|
|
$0.455
|
|
|
$0.438
|
|
|
$0.427
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
1212-8S
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
81.2 A
|
4.3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
15.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
4.8 W
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ116EP-T1_GE3
- Vishay
-
1:
$1.59
-
3,160En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ116EP-T1_GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
3,160En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$0.987
|
|
|
$0.643
|
|
|
$0.495
|
|
|
$0.448
|
|
|
$0.359
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK SO-8L
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
37 A
|
64 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
84 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
88 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
- SIHG190N65E-GE3
- Vishay
-
1:
$5.25
-
428En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG190N65E-GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
|
|
428En existencias
|
|
|
$5.25
|
|
|
$3.49
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.44
|
|
|
$2.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-247AC
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
20 A
|
190 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
5 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
179 W
|
Enhancement
|
Vishay
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
- SISS10ADN-T1-BE3
- Vishay
-
1:
$1.85
-
5,835En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SISS10ADN-T1-BE3
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
|
|
5,835En existencias
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.753
|
|
|
$0.579
|
|
|
$0.476
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.523
|
|
|
$0.448
|
|
|
$0.433
|
|
|
$0.42
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK-1212-8S
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
109 A
|
2.65 mOhms
|
- 16 V, 20 V
|
2.4 V
|
40.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
56.8 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 240-V (D-S) MOSFET
Vishay TN2404K-T1-BE3
- TN2404K-T1-BE3
- Vishay
-
1:
$0.97
-
2,203En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
78-TN2404K-T1-BE3
Nuevo en Mouser
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 240-V (D-S) MOSFET
|
|
2,203En existencias
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.691
|
|
|
$0.43
|
|
|
$0.297
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.255
|
|
|
$0.216
|
|
|
$0.191
|
|
|
$0.178
|
|
|
$0.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
257 V
|
200 mA
|
2.2 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
1.65 V
|
4.87 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
360 mW
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Vishay
-
1:
$6.46
-
4,712En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-IHK105N60EF-T1GE3
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET
|
|
4,712En existencias
|
|
|
$6.46
|
|
|
$4.35
|
|
|
$3.17
|
|
|
$3.04
|
|
|
$3.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK 10 x 12
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
|
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
- SI1467DH-T1-BE3
- Vishay
-
1:
$1.04
-
59,560En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI1467DH-T1-BE3
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
|
|
59,560En existencias
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.554
|
|
|
$0.401
|
|
|
$0.329
|
|
|
$0.253
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.298
|
|
|
$0.247
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-363-6
|
P-Channel
|
1 Channel
|
20 V
|
2.7 A
|
150 mOhms
|
- 8 V, 8 V
|
1 V
|
13.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2.8 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 12V 1.14A
- SI1965DH-T1-BE3
- Vishay
-
1:
$0.76
-
135,270En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI1965DH-T1-BE3
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 12V 1.14A
|
|
135,270En existencias
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.473
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.233
|
|
|
$0.21
|
|
|
$0.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-363-6
|
P-Channel
|
2 Channel
|
12 V
|
1.3 A
|
390 mOhms
|
- 8 V, 8 V
|
2.5 V
|
4.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.25 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
- SI3122DV-T1-GE3
- Vishay
-
1:
$0.97
-
2,836En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI3122DV-T1-GE3
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
|
|
2,836En existencias
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.691
|
|
|
$0.43
|
|
|
$0.297
|
|
|
$0.224
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.263
|
|
|
$0.163
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSOP-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.78 A
|
160 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
3.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.34 W
|
Enhancement
|
TrenchFET
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
- SI8818EDB-T2-E1
- Vishay
-
1:
$1.02
-
5,680En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI8818EDB-T2-E1
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
|
|
5,680En existencias
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.70
|
|
|
$0.444
|
|
|
$0.274
|
|
|
$0.175
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.207
|
|
|
$0.112
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
MicroFoot-0.8x0.8-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
2.2 A
|
128 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
1 V
|
4.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
900 mW
|
Enhancement
|
TrenchFET
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET
- SIHP12N60E-BE3
- Vishay
-
1:
$3.40
-
3,912En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHP12N60E-BE3
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET
|
|
3,912En existencias
|
|
|
$3.40
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
12 A
|
380 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
29 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
147 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 2.7A
- SI1469DH-T1-BE3
- Vishay
-
1:
$1.00
-
39,032En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI1469DH-T1-BE3
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 2.7A
|
|
39,032En existencias
|
|
|
$1.00
|
|
|
$0.623
|
|
|
$0.407
|
|
|
$0.314
|
|
|
$0.244
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.284
|
|
|
$0.232
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-363-6
|
P-Channel
|
1 Channel
|
20 V
|
2.7 A
|
155 mOhms
|
- 12 V, 12 V
|
1.5 V
|
8.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2.78 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO
- SISF54DN-T1-GE3
- Vishay
-
1:
$1.96
-
2,905En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
78-SISF54DN-T1-GE3
Nuevo en Mouser
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO
|
|
2,905En existencias
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.25
|
|
|
$0.83
|
|
|
$0.68
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.616
|
|
|
$0.522
|
|
|
$0.504
|
|
|
$0.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
1212-8SCD
|
N-Channel, NPN
|
2 Channel
|
30 V
|
118 A
|
3.1 mOhms
|
- 12 V, 16 V
|
2.2 V
|
12 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
5.2 W
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
- SIHP190N65E-GE3
- Vishay
-
1:
$4.62
-
934En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHP190N65E-GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
|
|
934En existencias
|
|
|
$4.62
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.17
|
|
|
$2.02
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-220AB
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
20 A
|
190 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
5 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
179 W
|
Enhancement
|
Vishay
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ120EP-T1_GE3
- Vishay
-
1:
$1.76
-
2,915En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ120EP-T1_GE3
Nuevo en Mouser
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2,915En existencias
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.751
|
|
|
$0.593
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.542
|
|
|
$0.504
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SO-8L
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
202 A
|
1.8 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
58 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
130 W
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
- SQJ764ELP-T1_GE3
- Vishay
-
1:
$2.25
-
2,704En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ764ELP-T1_GE3
Nuevo en Mouser
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
|
|
2,704En existencias
|
|
|
$2.25
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.952
|
|
|
$0.78
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.729
|
|
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$0.62
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
|
SMD/SMT
|
SO-8L Dual BWL
|
N-Channel
|
2 Channel
|
60 V
|
62 A
|
10.5 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
17 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
86 W
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
- SIEH4800EW-T1-GE3
- Vishay
-
1:
$5.97
-
2,650En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIEH4800EW-T1-GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2,650En existencias
|
|
|
$5.97
|
|
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$4.15
|
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|
$3.00
|
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|
$2.98
|
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$2.43
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
34 A
|
1.15 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
278 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
3.4 W
|
Enhancement
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 417A
- SIJK5100E-T1-GE3
- Vishay
-
1:
$3.08
-
4,137En existencias
-
6,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIJK5100E-T1-GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 417A
|
|
4,137En existencias
6,000En pedido
Existencias:
4,137 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,500 Se espera el 5/05/2026
1,500 Se espera el 24/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK-16
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
417 A
|
1.4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
131 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
536 W
|
Enhancement
|
TrenchFET
|
Reel, Cut Tape
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ120ELP-T1_GE3
- Vishay
-
1:
$2.05
-
2,920En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ120ELP-T1_GE3
Nuevo en Mouser
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2,920En existencias
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.29
|
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$0.844
|
|
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$0.67
|
|
|
Ver
|
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$0.614
|
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$0.521
|
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|
$0.504
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SO-8L
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
206 A
|
1.74 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
74 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
130 W
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
- SIHB065N60E-T1-GE3
- Vishay
-
1:
$7.16
-
1,536En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHB065N60ET1GE3
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
|
|
1,536En existencias
|
|
|
$7.16
|
|
|
$4.70
|
|
|
$4.52
|
|
|
$4.51
|
|
|
$2.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
Si
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
- SIHB075N65E-GE3
- Vishay
-
1:
$5.88
-
950En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHB075N65E-GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
|
|
950En existencias
|
|
|
$5.88
|
|
|
$4.44
|
|
|
$3.60
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220AB-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
40 A
|
65 mOhms
|
30 V
|
5 V
|
132 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
- SIHG055N65E-GE3
- Vishay
-
1:
$7.80
-
450En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG055N65E-GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
|
|
450En existencias
|
|
|
$7.80
|
|
|
$5.67
|
|
|
$4.82
|
|
|
$4.09
|
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|
Ver
|
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|
$3.75
|
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|
Presupuesto
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247AC-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
47 A
|
58 mOhms
|
30 V
|
5 V
|
108 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
312 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
- SIHH190N65E-T1-GE3
- Vishay
-
1:
$5.94
-
2,950En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHH190N65ET1-GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
|
|
2,950En existencias
|
|
|
$5.94
|
|
|
$4.49
|
|
|
$3.63
|
|
|
$3.23
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK 8 x 8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17 A
|
190 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
5 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
130 W
|
Enhancement
|
Vishay
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SIJH402E-T1-GE3
- Vishay
-
1:
$5.08
-
1,925En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIJH402E-T1-GE3
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
1,925En existencias
|
|
|
$5.08
|
|
|
$3.37
|
|
|
$2.68
|
|
|
$2.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.91
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
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