Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
3,092En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8SW N-Channel 1 Channel 60 V 373 A 2 mOhms 20 V 3.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 270 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
2,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 16 mOhms 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
1,750En existencias
3,000Se espera el 2/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 A 10 mOhms 20 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement
Vishay Semiconductors SIZF4412DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
2,643En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
Hoja de datos
2,789En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
Hoja de datos
2,971En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
Hoja de datos
2,993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
651En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
Hoja de datos
550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 55 mOhms 20 V 4.7 V 51 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
Hoja de datos
881En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
Hoja de datos
1,920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
Hoja de datos
827En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
Hoja de datos
807En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
Hoja de datos
2,980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2,030En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 115 mOhms 20 V 5 V 83 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2,009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms 30 V 5 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
208En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Hoja de datos
500En existencias
500Se espera el 26/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
349En existencias
480Se espera el 16/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 52 mOhms 20 V 5 V 141 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Hoja de datos
140En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
Carrete: 3,000

AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel